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双向可控硅原理_双向可控硅好坏判别

本站为您提供的双向可控硅原理_双向可控硅好坏判断,本文首先介绍了双向可控硅原理,其次介绍了双向可控硅特点及应用,最后介绍了三种双向可控硅好坏判断方法。

  双向可控硅原理

  “双向可控硅”:是在一般可控硅的基础上开展而成的,它不仅能替代两只反极性并联的可控硅,并且仅需一个触发电路,是比较抱负的沟通开关器材。其英文名称TRIAC即三端双向沟通开关之意。

  先看下图的作业原理:

双向可控硅原理_双向可控硅好坏判别

  假如想简略一点只需记住一句话即可,只需在G端有信号,那么T1-T2这条路便是通的,只要G在零点的时分才不会导通,首要来看一下运用吧。

  来看一个电路图,其实双向可控硅大都用在沟通电路中。

双向可控硅原理_双向可控硅好坏判别

  简略介绍一下,Q5是三极管,U2是个光耦,BT1便是双向可控硅,R144是一个压敏电阻,正常作业时分相当于断路,超越470V才起作用,CN5接负载,也便是说我只需给AirPumpSwitch一个信号,可控硅便是导通的了,不管是在沟通电正负部分。

双向可控硅原理_双向可控硅好坏判别

  双向可控硅特色及运用

  双向可控硅可被认为是一对反并联衔接的一般可控硅的集成,作业原理与一般单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2,一个门极G,门极使器材在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通,因此有四种触发办法。双向可控硅运用为正常运用双向可控硅,需定量把握其首要参数,对双向可控硅进行恰当选用并采纳相应措施以到达各参数的要求。

  ·耐压等级的挑选:一般把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器材的额外电压。选用时,额外电压应为正常作业峰值电压的2~3倍,作为答应的操作过电压裕量。

  ·电流的确认:因为双向可控硅一般用在沟通电路中,因此不必平均值而用有效值来表明它的额外电流值。因为可控硅的过载才能比一般电磁器材小,因此一般家电中选用可控硅的电流值为实际作业电流值的2~3倍。一起,可控硅接受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时的峰值电流应小于器材规则的IDRM和IRRM。

  ·通态(峰值)电压VTM的挑选:它是可控硅通以规则倍数额外电流时的瞬态峰值压降。为削减可控硅的热损耗,应尽或许挑选VTM小的可控硅。

  ·坚持电流:IH是坚持可控硅坚持通态所必需的最小主电流,它与结温有关,结温越高,则IH越小。

  ·电压上升率的抵抗:dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是避免误触发的一个要害参数。此值超限将或许导致可控硅呈现误导通的现象。因为可控硅的制作工艺决议了A2与G之间会存在寄生电容

  双向可控硅好坏判别

  办法一:

  丈量极间电阻法。将万用表置于皮Rx1k档,假如测得T2-T1、T2-G之间的正反向电阻挨近∞,而万用表置于Rx10档测得T1-G之间的正反向电阻在几十欧姆时,就阐明双向可控硅是好的,能够运用;反之,若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零,而T1-G之间的正反向电阻很小或挨近于零时,就阐明双向可控硅的功能变坏或击穿损坏。不能运用;假如测得T1-G之间的正反向电阻很大(挨近∞)时,阐明操控极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏,也不能运用。

  办法二:

  查看触发导通才能。万用表置于Rx10档:①如图,1(a)所示, 用黑表笔接主电极T2,红表笔接T1,即给T2加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后脱离,假如表头指针发生了较大偏转并停留在一固定方位,阐明双向可控硅中的一部分(其间一个单向可控硅)是好的,如图1(b)所示, 改黑表笔接主电极T1,红表笔接T2,即给T1加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后脱离,假如成果同上,也证明双向可控硅中的另一部分(其间的一个单向可控硅是好的。测验到止阐明双向可控硅整个都是好的,即在两个方向(在不同极性的触发电压证)均能触发导通。

双向可控硅原理_双向可控硅好坏判别

  办法三:

  查看触发导通才能。如图2所示,取一只10uF左右的电解电容器,将万用表置于Rx10k档(V电压),对电解电容器充电3~5s后用来替代图1中的短路线,即使用电容器上所充的电压作为触发信号,然后再将万用表置于Rx10档,照图2(b)衔接好后进行测验。测验时,电容C的极性可任意衔接,同样是碰触一下后脱离,调查表头指针偏转状况,假如测验成果与“办法二’相同,就证明双向可控硅是好的。

双向可控硅原理_双向可控硅好坏判别

  运用此法判别双向可控硅的触发导通才能更为牢靠。因为电解电容器上充的电压较高,使触发信号增大,更利于判别大功率双向可控硅的触发才能。

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