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削减开关损耗:儒卓力供给来自罗姆的节能SiC-MOSFET

罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFE

罗姆的SCT3xxx xR系列包括六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器材。该产品系列供给4引脚封装(TO-247-4L)型款,与传统3引脚封装类型(TO-247N)比较,可最大极限地进步开关功能,并将开关损耗下降多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS体系、太阳能逆变器和新能源轿车充电站中的节能运用。

RUT099. ROHM SiC MOSFET_1.jpg

经过运用TO-247-4L封装,驱动器和电流源引脚得以别离,然后最大极限地下降了寄生电感重量的影响。这有助于明显下降功耗,关于有必要供给不间断电源的高功能使用特别具有吸引力。特别是跟着先进AI和IoT的开展,关于云服务的需求不断增加,数据中心面临着在下降功耗的一起还要进步容量和功能的应战。

配套评测板(P02SCT3040KR-EVK-001)带有针对驱动SiC器材而优化的栅极驱动器IC (BM6101FV-C)。多个电源IC和分立组件有利于使用评测和开发。因为兼容两种封装类型(TO-247-4L和TO-247N),可在相同的条件下进行评测。这个评测板可用于升压电路、2级逆变器和同步整流降压电路中的双脉冲测验和组件评测。

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