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说说晶体三极管规划的几个注意事项

说起晶体三极管,大家想必都很熟悉,其基本要素都熟记在心:NPN&PNP,静态工作点的设计,截至区&放大区&饱和区………对这些关键点

  说起晶体三极管,咱们想必都很了解,其基本要素都熟记在心:NPN&PNP,静态作业点的规划,到区&放大区&饱满区………对这些要害点不了解的,能够抱书再次温习温习了。今日我要说的是在实践规划中需求留意的几个事项。

  榜首、留意基极电压的正常作业范围和答应流经的最大电流。假如基极的电压过高,会引起晶体三极管的PN结发生不行康复的损坏而使管子不能作业。假如过低乃至低过了到电压,那么使规划落入到区也在所不免。假如基极电流过大,不免使规划落入饱满状况。因而一个好的晶体三极管规划首要要有一个杰出、安稳的基极静态作业点,这就要求经于晶体三极管的数据手册了。比方下图,是一个三极管的数据手册,从中能够看出该三极管的几个典型数值。在运用过程中,这些都需求留意。

  第二、区别晶体三极管的反应状况。关于OP放大器的反应,信任咱们都非常了解。而关于晶体三极管的反应,想必要加深下形象。咱们常见的反应有电压反应和电流反应,实践电路如下:

  上图这两种电路左边是电压负反应电路,经过R2来安稳Vce然后完成体系的安稳。右侧电路是电流负反应电路,经过R5完成了对射极电流的安稳( 使射极电流受hef和温度的影响大大减小)然后完成体系的安稳。

  第三、留意基极电阻的运用。在实践的电路规划中,常常选用如下的电路 该电路在基极的输入端接入一个电阻,一般该电阻阻值为10-100Ω之间,用来进行体系的安稳,避免体系因为外界环境的影响而发生震动。一起合作射极电阻R5的电流负反应电路,一起保护体系的安稳。

  第四、留意镜像电流源的运用。镜像电流源经典电路如下:

  在该电路的抱负模型中,需求运用Q1和Q2特性相同的管子,但是在实践中,完全相同的管子不存在的,由此管子的饱满电流也具有必定程度的分散性,为减小这个分散性,在规划中在两个管子的发射极增加电阻,保持电流源的稳定,如下:

  在规划中,经过调理R1和R2的阻值,将二者的压降控制在0.2v左右,此刻的电流源关系为 ,假如负载电阻足够大,那么该电路能够镜像电流源的低失真系数。

  本小文首要用来阐明晶体三极管运用过程中笔者以为需求留意的几个事项,想必你看完之后对晶体三极管电路有了进一步的知道。假如有什么问题,请留言或许去www.eepw.com.cn论坛进行讨论,一起提高咱们的电子规划水平。

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