UV-LED单个芯片面积小，便于灵敏规划;但相应的是单个芯片的辐射功率也较低，在许多运用中难以满意高辐射功率密度的要求，这也是现在UV-LED在很多范畴很难替代UV放电灯的重要原因之一。因而，跟着UV-LED的开展，其封装和体系规划也成为重视的焦点。
德国
德国KIT的Schneider等提出了一种高功率密度的UV-LED模组，将98个395nm的LED芯片密布封装在陶瓷基板上，能够完成较高的辐射功率密度。开始98个LED芯片经过银胶封装在氧化铝陶瓷基板上，如图所示。单颗LED芯片输入电功率为1.65W，作业电流500mA，结温25℃，输出辐射功率为375mW。98个芯片串联，整个模组的最大输入功率为162W，封装面积为2.11cm2，热功率密度到达59.2W/cm2。
风冷条件下的特征测验成果显现，在输入功率120W、作业电流400mA状态下，模组宣布的紫外波长为397nm，辐射功率密度为13.1W/cm2。而热学仿真成果表明，假设进步该模组的散热特性，辐射功率密度估计能够到达20.8W/cm2。为此，规划了一个外表微型散热器，如图所示。
该散热器依据层流条件下热传导的微通道较短的原理，很多矮小的微通道彼此并联，以进步热传导的面积，并选用水作为冷却液。选用塑料制成的该结构散热器的热通量达500W/cm2，选用铝或氧化铝陶瓷等热阻更低的资料时，该散热器的热通量估计能够到达800W/cm2，因而能够有用进步LED模组的散热功能。随后，选用厚膜印刷的铝基板来替代陶瓷基板，成果证明改进后的模组散热功能更好，最大辐照度可到达31.6W/cm2。
台湾
台湾中兴大学的Horng等人选用复合电镀工艺制备出掺杂金刚石的铜(Diamond-addedCopper，DAC)散热器并运用于UV-LED封装散热。激光亮光法测得DAC散热器的热扩散系数为0.7179cm2/s。试验成果表明，选用DAC散热器的UV-LED热阻仅为18.4K/W，低于纯铜的24.8K/W，其散热特性和光学功能都得到了改进。注入电流为350mA时，运用DAC散热器的UV-LED的外表温度为45.3℃，而相同条件下纯铜散热器的UV-LED外表温度为50.1℃，仅蓝宝石衬底的外表温度为62.5℃。该条件下，UV-LED的辐射输出功率和辐射效率别离增大至71.8mW和4.3%。
复旦大学
复旦大学课题组依据铜板与AlN板三明治结构的高功率密度封装，开发了kW级以上的大功率紫外LED光固化体系。AlN板作为铜板正负电极之间、铜板电极与散热器之间的绝缘层，既能到达杰出的绝缘作用，又能够保证芯片热量的高效导出，然后改进LED模组的散热特性;铜板作为电极衔接，增大了LED模组的驱动电流，将单位面积的封装功率进步到20~500W/cm2。如图所示的移动式紫外固化体系，输入功率密度到达200W/cm2，总功率14kW，能很好地运用于各种不同的地坪涂料的固化处理，并已运用于耐磨纸涂层和木器油漆的固化。
广东海洋大学
广东海洋大学的Zhou等人规划了一种特别的扇形UV-LED阵列，用来满意高速旋转固化如光盘固化等运用的特别要求，并选用TracePro光学仿真软件对该光源的辐照度散布进行了模仿。其阵列结构如图(a)所示，若干大功率UV-LED组成扇形阵列安装在铝基板上，每层UV-LED等间隔散布在以O为圆心的圆弧上。沿半径方向上LED芯片的个数逐步线性添加，然后辐照度沿径向逐步添加。由图(b)截面可知，UV-LED阵列散布在抛物型柱面上。每个LED正前方别离装有准直透镜，生成发散角小于3°的近似平行光，然后UV-LED阵列的出射光汇聚在较小的矩形区域内，构成高功率密度的辐照面。
南京信息工程大学
南京信息工程大学的肖韶荣等人为结构指纹荧光检测中所需的均匀照明紫外光源，规划了一种圆环形的UV-LED阵列照明。首要检测单颗LED的辐射角散布，拟合单个LED的近似光强散布方程;然后用8颗LED均匀置于半径为10mm的圆环上，在圆环上方5mm处的中心轴上放置1个LED;在给定的调查屏上照度不均匀误差下，依据斯派罗规律，确认观测屏与圆环阵列之间的间隔，然后完成LED圆环阵列的照度散布均匀化。试验成果表明，观测屏到圆环间隔为11.0cm时，在半径为10.0mm的圆内，照度的不均匀相对误差小于1.27%。这种LED阵列光照度均匀化办法可靠性高，规划办法简单易行。但由于各LED的辐射有必定离散性，故其均匀化作用与抱负作用还存在必定差异。
