原理图
FS1:
由变压器核算得到Iin值，以此Iin值(0.42A)可知运用公司同享料2A/250V，规划时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超越保险丝的额外值。
TR1(热敏电阻):
电源发动的瞬间，由于C1(一次侧滤波电容)短路，导致Iin电流很大，尽管时刻很时刻短，但亦或许对Power产生损伤，所以有必要在滤波电容之前加装一个热敏电阻，以约束开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A，230V/60A)，但因热敏电阻亦会耗费功率，所以不行放太大的阻值(否则会影响功率)，一般运用5Ω-10Ω热敏，若C1电容运用较大的值，则有必要考虑将热敏电阻的阻值变大(一般运用在大瓦数的Power上)。
VDR1(突波吸收器):
当雷极产生时，或许会损坏零件，从而影响Power的正常动作，所以有必要在靠AC输入端 (Fuse之后)，加上突波吸收器来维护Power(一般常用07D471K)，但若有价格上的考虑，可先疏忽不装。
CY1，CY2(Y-Cap):
Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容，若AC Input有FG(3 Pin)一般运用Y2- Cap ， AC Input若为2Pin(只需L，N)一般运用Y1-Cap，Y1与Y2的差异，除了价分外(Y1较贵重)，绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为两层绝缘，绝缘耐压约为Y2的两倍，且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1)，此电路蛭 FG所以运用Y2-Cap，Y-Cap会影响EMI特性，一般来说越大越好，但须考虑漏电及价格问题，漏电(Leakage Current )有必要契合安规须求(3Pin公司标准为750uA max)。
CX1(X-Cap)、RX1:
X-Cap为防制EMI零件，EMI可分为Conduction及Radiation两部分，Conduction标准一般可分为: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 两种 ， FCC测验频率在450K~30MHz，CISPR 22测验频率在150K~30MHz， Conduction可在厂内以频谱分析仪验证，Radiation 则有必要到实验室验证，X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数M之间)的EMI防制有用，一般来说X-Cap愈大，EMI防制效果愈好(但价格愈高)，若X-Cap在0.22uf以上(包括0.22uf)，安规规则有必要要有泄放电阻(RX1，一般为1.2MΩ 1/4W)。
LF1(Common Choke):
EMI防制零件，首要影响Conduction 的中、低频段，规划时有必要一起考虑EMI特性及温升，以相同尺度的Common Choke而言，线圈数愈多(相对的线径愈细)，EMI防制效果愈好，但温升或许较高。
BD1(整流二极管):
将AC电源以全波整流的方法转化为DC，由变压器所核算出的Iin值，可知只需运用1A/600V的整流二极管，由于是全波整流所以耐压只需600V即可。
C1(滤波电容):
由C1的巨细(电容值)可决议变压器核算中的Vin(min)值，电容量愈大，Vin(min)愈高但价格亦愈高，此部分可在电路中实践验证Vin(min)是否正确，若AC Input 范围在90V~132V (Vc1 电压最高约190V)，可运用耐压200V的电容;若AC Input 范围在90V~264V(或180V~264V)，因Vc1电压最高约380V，所以有必要运用耐压400V的电容。
D2(辅佐电源二极管):
整流二极管，一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V)，两者首要差异:耐压不同(在此处运用差异无所谓)VF不同(FR105=1.2V，BYT42M=1.4V)
R10(辅佐电源电阻):
首要用于调整PWM IC的VCC电压，以现在运用的3843而言，规划时VCC有必要大于8.4V(Min. Load时)，但为考虑输出短路的状况，VCC电压不行规划的太高，防止当输出短路时不维护(或输入瓦数过大)。
C7(滤波电容):
辅佐电源的滤波电容，供给PWM IC较安稳的直流电压，一般运用100uf/25V电容。
Z1(Zener 二极管):
当回授失效时的维护电路，回授失效时输出电压冲高，辅佐电源电压相对进步，此刻若没有维护电路，或许会形成零件损坏，若在3843 VCC与3843 Pin3脚之间加一个Zener Diode，当回授失效时Zener Diode会溃散，使得Pin3脚提早抵达1V，以此可约束输出电压，到达维护零件的意图.Z1值的巨细取决于辅佐电源的凹凸，Z1的决议亦须考虑是否超越Q1的VGS耐压值，原则上运用公司的现有料(一般运用1/2W即可).
R2(发动电阻):
供给3843榜首次发动的途径，榜首次发动时透过R2对C7充电，以供给3843 VCC所需的电压，R2阻值较大时，turn on的时刻较长，但短路时Pin瓦数较小，R2阻值较小时，turn on的时刻较短，短路时Pin瓦数较大，一般运用220KΩ/2W M.O。
R4 (Line Compensation):
高、低压补偿用，使3843 Pin3脚在90V/47Hz及264V/63Hz挨近共同(一般运用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之间)。
R3，C6，D1 (Snubber):
此三个零件组成Snubber，调整Snubber的意图:1.当Q1 off瞬间会有Spike产生，调整Snubber能够保证Spike不会超越Q1的耐压值，2.调整Snubber可改进EMI.一般来说，D1运用1N4007(1A/1000V)EMI特性会较好.R3运用2W M.O.电阻，C6的耐压值以两头实践压差为准(一般运用耐压500V的陶质电容)。
Q1(N-MOS):
现在常运用的为3A/600V及6A/600V两种，6A/600V的RDS(ON)较3A/600V小，所以温升会较低，若IDS电流未超越3A，应该先以3A/600V为考虑，并以温升记载来验证，由于6A/600V的价格高于3A/600V许多，Q1的运用亦需考虑VDS是否超越额外值。
R8:
R8的效果在维护Q1，防止Q1出现浮接状况。
R7(Rs电阻):
3843 Pin3脚电压最高为1V，R7的巨细须与R4合作，以到达凹凸压平衡的意图，一般运用2W M.O.电阻，规划时先决议R7后再加上R4补偿，一般将3843 Pin3脚电压规划在0.85V~0.95V之间(视瓦数而定，若瓦数较小则不能太挨近1V，防止因零件差错而顶到1V)。
R5，C3(RC filter):
滤除3843 Pin3脚的噪声，R5一般运用1KΩ 1/8W，C3一般运用102P/50V的陶质电容，C3若运用电容值较小者，重载或许不开机(由于3843 Pin3瞬间顶到1V);若运用电容值较大者，或许会有轻载不开机及短路Pin过大的问题。
R9(Q1 Gate电阻 ):
R9电阻的巨细，会影响到EMI及温升特性，一般来说阻值大，Q1 turn on / turn off的速度较慢，EMI特性较好，但Q1的温升较高、功率较低(首要是由于turn off速度较慢);若阻值较小， Q1 turn on / turn off的速度较快，Q1温升较低、功率较高，但EMI较差，一般运用51Ω-150Ω 1/8W。
R6，C4(操控振动频率):
决议3843的作业频率，可由Data Sheet得到R、C组成的作业频率，C4一般为10nf的电容(差错为5%)，R6运用精细电阻，以DA-14B33为例，C4运用103P/50VPE电容，R6为3.74KΩ 1/8W精细电阻，振动频率约为45 KHz。
C5:
功用相似RC filter，首要功用在于使高压轻载较不易振动，一般运用101P/50V陶质电容。
U1(PWM IC):
3843是PWM %&&&&&%的一种，由Photo Coupler (U2)回授信号操控Duty Cycle的巨细，Pin3脚具有限流的效果(最高电压1V)，现在所用的3843中，有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)两种，两者脚位相同，但产生的振动频率略有差异，UC3843BN较KA3843快了约2KHz，fT的添加会衍生出一些问题(例如:EMI问题、短路问题)，因KA3843较难买，所以新机种规划时，尽量运用UC3843BN。
R1、R11、R12、C2(一次侧回路增益操控):
3843内部有一个Error AMP(差错扩大器)，R1、R11、R12、C2及Error AMP组成一个负回授电路，用来调整回路增益的安稳度，回路增益，调整不恰当或许会形成振动或输出电压不正确，一般C2运用立式积层电容(温度持性较好)。
U2(Photo coupler)
光耦合器(Photo coupler)首要将二次侧的信号转化到一次侧(以电流的方法)，当二次侧的TL431导通后，U2即会将二次侧的电流依份额转化到一次侧，此刻3843由Pin6 (output)输出off的信号(Low)来封闭Q1，运用Photo coupler的原因，是为了契合安规需求(primacy to secondary的间隔至少需5.6mm)。
R13(二次侧回路增益操控):
操控流过Photo coupler的电流，R13阻值较小时，流过Photo coupler的电流较大，U2转化电流较大，回路增益较快(需求承认是否会形成振动)，R13阻值较大时，流过Photo coupler的电流较小，U2转化电流较小，回路增益较慢，尽管较不易形成振动，但需留意输出电压是否正常。
U3(TL431)、R15、R16、R18
调整输出电压的巨细， ，输出电压不行超越38V(由于TL431 VKA最大为36V，若再加Photo coupler的VF值，则Vo应在38V以下较安全)，TL431的Vref为2.5V，R15及R16并联的意图使输出电压能微调，且R15与R16并联后的值不行太大(尽量在2KΩ以下)，防止形成输出禁绝。
R14，C9(二次侧回路增益操控):
操控二次侧的回路增益，一般来说将电容扩大会使增益变慢;电容放小会使增益变快，电阻的特性则刚好与电容相反，电阻扩大增益变快;电阻放小增益变慢，至于何谓增益调整的最佳值，则能够Dynamic load来量测，即可获得一个最佳值。
D4(整流二极管):
由于输出电压为3.3V，而输出电压调整器(Output Voltage Regulator)运用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V)，所以有必要多添加一组绕组供给Photo coupler及TL431所需的电源，由于U2及U3所需的电流不大(约10mA左右)，二极管耐压值100V即可，所以只需运用1N4148(0.15A/100V)。
C8(滤波电容):
由于U2及U3所需的电流不大，所以只需运用1u/50V即可。
D5(整流二极管):
输出整流二极管，D5的运用需考虑:
电流值
二极管的耐压值
以此电路为例，输出电流4A，运用10A的二极管(Schottky)应该能够，但经点温升验证后发现D5温度偏高，所以有必要换为15A的二极管，由于10A的VF较15A的VF 值大。耐压部分40V经验证后契合，因而最终运用15A/40V Schottky。
C10，R17(二次侧snubber) :
D5在截止的瞬间会有spike产生，若spike超越二极管(D5)的耐压值，二极管会有被击穿的风险，调整snubber可恰当的削减spike的电压值，除维护二极管外亦可改进EMI，R17一般运用1/2W的电阻，C10一般运用耐压500V的陶质电容，snubber调整的进程(264V/63Hz)需留意R17,C10是否会过热，应防止此种状况产生。
C11，C13(滤波电容):
二次侧榜首级滤波电容，应运用内阻较小的电容(LXZ，YXA…)，电容挑选是否洽当可依以下三点来断定:
输出Ripple电压是契合标准
电容温度是否超越额外值
电容值两头电压是否超越额外值
R19(假负载):
恰当的运用假负载可使线路更安稳，但假负载的阻值不行太小，否则会影响功率，运用时亦须留意是否超越电阻的额外值(一般规划只运用额外瓦数的一半)。
L3，C12(LC滤波电路):
LC滤波电路为第二级滤波，在不影响线路安稳的状况下，一般会将L3 扩大(电感量较大)，如此C12可运用较小的%&&&&&%值。
