S3C2410X有两种发动方法：NOR flash发动和NAND flash发动。NOR flash发动：NOR flash能够象SDRAM那样随机读取，且读取速度快，不光能够存储程序，还能够运转程序。上电复位时，NOR flash被映射到地址0x0处，程序就能够从NOR flash中的榜首条句子开端履行。程序即能够在NORflash运转，也能够仿制到SDRAM中运转。NAND flash发动：NAND flash容量大、价格低，广泛应用于嵌入式体系中。S3C2410X集成了NAND flash控制器，可便利编程。可是，NAND flash随机读取速度慢，需专用I/O接口，只能存储程序，无法运转程序。为了能够从NAND flash发动，上电复位时，S3C2410X经过硬件逻辑把NAND flash的前4KB的内容仿制到片内SRAM中，而片内SRAM被映射到地址0x0，这样就能够从地址0x0处取到有用指令。因而，选用NAND flash发动时，有必要使用片内SRAM中的代码把NAND flash中的程序代码仿制到SDRAM中去。
这儿，笔者参阅了引导装入程序(Bootloader)的方法，把代码分红两部分，榜首部分作为引导代码，包含ARM所要求的接连8个字的中止向量表。它首要担任把NAND flash中的程序代码仿制到SDRAM中，其代码远小于4KB。第二部分是应用程序。调试时可别离独自调试，互不影响。调试完成后，别离烧写，引导代码的RO_Base设置为0x0，烧写到NANDflash的第0块。第二部分应用程序的RO_Base设置为0x3000,0000，烧写到NAND flash榜首块开端的地址空间。上电复位时，引导代码由硬件逻辑仿制到片内SRAM中，所以，ARM所要求的接连8个字的中止向量表就坐落0x0地址开端的接连空间内。接着从榜首条指令开端履行，除了一些必要的初始化以及设置中止向量表，它把NAND flash中榜首块开端的程序代码仿制到开端地址为0x3000,0000的SDRAM中。地址0x3000,0000既是RO_Base的地址，也是SDRAM在整个地址空间的开端地址。仿制完成后，引导代码也该完毕退出了，退出之前需调整PC指针，为了简略起见，把PC指针直接调整到地址0x3000,0000，即从应用程序的发动代码开端履行。需求留意的是，引导代码把中止向量表仿制到SDRAM中_ISR_StartAddress处即地址0x30ffffff，而应用程序的发动代码也把中止向量表仿制到SDRAM中同一地址_ISR_StartAddress处。这样，当反常产生时，PC指针首要跳到地址0x0开端8个字的反常向量
表，这是在片内SRAM的引导代码里。接着，跳到SDRAM中的中止向量表，这是在应用程序里，然后转到中止处理程序，PC指针的跳转跨过了两部分程序。引导代码和应用程序在存储空间和NAND flash的散布状况如图所示。完成仿制和PC指针调整的代码如下 ：
IMPORT nand_read_ll ；引进外部C函数
ldr r0, =SDRAM_Base_Address ；r0指向SDRAM的基地址，即地址0x3000,0000
mov r1, =APP_Start_ Address ；r1指向NAND_flash中应用程序的开端地址；即第1块的开端地址
mov r2, =APP_End_ Address ；r2指向NAND_flash中应用程序的完毕地址
bl nand_read_ll ；调用仿制函数开端仿制
ldr r12, =SDRAM_Base_Address
mov pc, r12 ；pc指向SDRAM的基地址；引导代码到此完毕，接着从应用程序发动代码的榜首条句子开端履行。
相同道理，NOR flash发动也能够选用这种方法，不同的是，引导代码在NOR flash中，它把NOR flash中的程序代码仿制到SDRAM中，然后，也是跳到SDRAM中开端履行。
