晶振 E.S.R与C

图中CI,C2这两个电容就叫晶振的负载电容，别离接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮法。它会影响到晶振的谐振频率和输出起伏，一般订货晶振时分供货方会问你负载电容是多少。

晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C

式中Cd,Cg为别离接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic（%&&&&&%内部电容）+△C（PCB上电容）经验值为3至5pf。因而，晶振的数据表中规则12pF的有用负载电容要求在每个引脚XIN 与 XOUT上具有22pF（2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生电容）。 两头电容为Cg,Cd,负载电容为Cl, cl=cg*cd/(cg+cd)+a
便是说负载电容15pf的话，两头两个接27pf的差不多了，

各种逻辑芯片的晶振引脚能够等效为电容三点式振动器。晶振引脚的内部一般是一个反相器, 或者是奇数个反相器串联。在晶振输出引脚 XO 和晶振输入引脚 XI 之间用一个电阻衔接, 关于 CMOS 芯片一般是数 M 到数十M 欧之间. 许多芯片的引脚内部现已包含了这个电阻, 引脚外部就不必接了。这个电阻是为了使反相器在振动初始时处于线性状况, 反相器就如同一个有很大增益的放大器, 以便于起振. 石英晶体也衔接在晶振引脚的输入和输出之间, 等效为一个并联谐振回路, 振动频率应该是石英晶体的并联谐振频率. 晶体周围的两个电容接地, 实际上便是电容三点式电路的分压电容, 接地址便是分压点. 以接地址即分压点为参考点, 振动引脚的输入和输出是反相的, 但从并联谐振回路即石英晶体两头来看, 构成一个正反应以保证电路继续振动. 在芯片规划时, 这两个电容就现已构成了, 一般是两个的容量持平, 容量巨细依工艺和地图而不同, 但终归是比较小, 不一定合适很宽的频率规模. 外接时大约是数 PF 到数十 PF, 依频率和石英晶体的特性而定. 需求留意的是: 这两个电容串联的值是并联在谐振回路上的, 会影响振动频率. 当两个电容量持平时, 反应系数是 0.5, 一般是能够满意振动条件的, 但假如不易起振或振动不安稳能够减小输入端对地电容量, 而添加输出端的值以进步反应量. . 一般芯片的 Data sheet 上会有阐明。

另：

1.匹配电容—–负载电容是指晶振要正常震动所需求的电容。一般外接电容，是为了使晶振两头的等效电容等于或挨近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两头所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就挨近负载电容了。

2．负载电容是指在电路中跨接晶体两头的总的外界有用电容。他是一个测验条件，也是一个运用条件。应用时一般在给出负载电容值邻近调整能够得到准确频率。此电容的巨细首要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。

3．一般情况下，增大负载电容会使振动频率下降，而减小负载电容会使振动频率升高

4．负载电容是指晶振的两条引线衔接%&&&&&%块内部及外部一切有用电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决议振动器的振动频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。由于石英晶体振动器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振交换时还必须要求负载电容一至，不能冒然交换，否则会形成电器作业不正常。

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晶振的负载电容问题

负载电容（请参阅数据表中的详细阐明）

注：有用负载电容
晶振制造商一般会在晶振的数据表中界说有用负载电容。从电子学视点来说，电容器以串行方法衔接到引脚XIN 与XOUT上，这时有用负载电容为：
C(eff) = {C(XIN) ? C(XOUT)}/{C(XIN) + C(XOUT)}
因而，晶振的数据表中规则12pF的有用负载电容要求在每个引脚XIN 与 XOUT上具有22pF（2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生电容）。 MSP430x1xx 与 MSP430x3xx 系列为32kHz振动器供给了约12pF的固定集成负载电容器，并且无需任何其它外部负载电容器即可支撑需求6pF有用负载电容的晶振。高频率 XTAL 振动器无内置负载电容器。 MSP430x4xx 系列为低频率与高频率形式下的LFXT1 振动器供给了软件可选的集成负载电容器。该器材数据表中供给了可选值。XT2 振动器没有任何内置负载电容器。
ESR
为了保证振动器操作安稳，MSP430x1xx 与MSP430x3xx 系列均需求ESR < 50kOhm的32kHz晶振。MSP430x4xx 系列的低功耗振动器需求ESR < 100kOhm的 32kHz 晶振。 高频率晶振的主张 ESR 值是 <= 40Ohms（频率为8MHz时）。与主张的最大值比较，ESR的值越低，振动器发动性能与安稳性也越好。
规划考虑事项：
使晶振、外部电容器（假如有）与 MSP430 之间的信号线尽可能坚持最短。当十分低的电流经过MSP430晶振振动器时，假如线路太长，会使它对 EMC、ESD 与串扰发生十分灵敏的影响。并且长线路还会给振动器添加寄生电容。
假如MSP430在插座中：请留意插座会给振动器添加寄生电容。
尽可能将其它时钟线路与频频切换的信号线路安置在远离晶振衔接的方位。
留神晶振和地的走线
将晶振外壳接地
当 VCC < 2.5 V 时，MSP430x1xx 的 LFXT1 振动器要求在LF形式下运用从XOUT 到 VSS 的 5.1MOhm 电阻器。

一般电容的计算公式是：