固态硬盘工业尽管风生水起，但受限于各种因素，短期内还无法替代机械硬盘，而最新研讨给出的结论是固态硬盘将永无出头之日。《IEEE Transactions on Magnetics》上最近宣布了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研讨文章。师徒俩研讨了13种非易失性存储技能，看它们到2020年的时分能否在单位容量本钱上逾越机械硬盘，成果选出了两个最有期望的候选 者：相变随机存取存储(PCRAM)、自旋极化随机存取存储(STTRAM)。
PCRAM咱们偶然会有所耳闻。它根据硫系玻璃的结晶态和非结晶态相变特征，单元尺寸较小，并且每个单元内能保存多个比特，因而存储密度和本钱都有望优于机械硬盘。三星现已开端量产相变存储芯片，Intel和意法半导体联合出资的Numonyx也很垂青该技能，但其最大的下风是功耗较高。
STTRAM类似于磁性RAM，根据电子自旋理论，经过调整磁性地道结的平行与反平行方向来运用旋偏振电流读写数据，最大特征便是高能效，但缺陷是每单元只能存储一个比特，因而容量和本钱改善空间受限，和PCRAM正好相反。
说了半天，NAND闪存呢?尽管它现已十分盛行，尽管它功耗更低、拜访速度更快、机械可靠性更好，但单位容量本钱仍是机械硬盘的将近十倍。现在一块 500GB容量的机械硬盘大约要100美元，而依照当时速度开展，到2020年的时分双碟2.5寸机械硬盘的容量将到达14TB，本钱却只需40美元。
Mark Kryder和Chang Soo kim预言，NAND闪存技能将在十年之内遭受技能极限，替代机械硬盘就无从谈起了。
其他非易失性技能：铁电体RAM、磁性RAM、碳纳米管RAM、电阻式RAM、铜桥RAM(Copper Bridge)、全息存储、单电子存储、分子存储、聚合物存储、赛道存储(Racetrack Memory)、勘探存储(Probe Memory)。这些技能各有各的特征，但大都还处于理论研讨或许初级实验阶段，间隔大范围有用还十分悠远。
