漏极电压Vd，从0至4V进行扫描，在每个Vd扫描之后，门极电压Vg步进到下一个数值。传统的只要直流的Vds-id和经过4200-RBT,偏置T型接头的直流IV测验之间的首要区别是SMU的数量。经过偏置T型接头进行的直流IV测验，运用2个SMU[2]，其源和本体连接到地（SMA的同轴电缆屏蔽层）。
Vds–id-pulse测验如图7所示。因为脉冲测验是UTMS（用户测验模块），所以参数是经过图7所示的表格界面来改动的。关于脉冲Vds-id[3]，门极电压不是阶梯的，所以将下一个Vds-id曲线附加到图上之前，有必要输入每一个门极电压。
图7.脉冲Vds-id UTM definition选项页
请注意，直流和脉冲测验的参数都可以很简单的进行修正，答应对晶体管行为特性进行交互式调查。下面章节运转Pulse IV测验部分会包括运转Vds-id测验的程序。
