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FRAM在行车记录仪中的使用

FRAM(铁电存储器)现已成功地运用于各种高可靠性应用,如工业控制系统、工业自动化系统、关键任务空间及高可靠性的军事应用中。经实践证明,…

FRAM(铁电存储器)现已成功地运用于各种高牢靠性运用,如工业操控体系、工业自动化体系、要害使命空间及高牢靠性的军事运用中。经实践证明,FRAM是一种可信、牢靠的非易失性内存技能,在大多数运用中运用的时刻已超越20年。FRAM经过了AEC-Q100认证,具有高功用和高牢靠性,适用于3级(-40℃ ~+85℃)和1级 (-40℃ ~ +125℃)轿车运用。高牢靠性以及简直无限次(100万亿)写周期,使其成为新一代轿车运用——高燃油功率、增强的安全特性、高端自动化及操控的最佳挑选之一。

FRAM可在大多数轿车子体系中用于非易失性数据记载,如智能安全气囊、安稳操控、动力传动组织、外表盘外表、电池办理、发动机操控和文娱信息节目运用,且能够接受更高等级的温度规模。本文讨论的是FRAM在轿车事端数据记载器(即行车记载仪)中的运用状况。

什么是EDR?

轿车事端数据记载器(即行车记载仪,以下简称EDR)在某种程度上类似于飞机和火车中的数据记载器。EDR也被称为轿车“黑匣子”或“磕碰记载器”,开始是用于获取和记载轿车单元内不同操控模块的数据,并运用获取的数据进行剖析,以进步未来规划中安全气囊的功用。获取的数据包含磕碰严峻程度,经过丈量冲击力、车辆速度、引擎转速、转向输入、油门方位、制动状况、安全带状况、轮胎气压、正告信号及安全气囊翻开的记载来获取。


图1:事端典范

EDR记载的是事端前、事端中和事端后几秒内的数据长度,旨在监控和获取有关车辆安全体系功用的数据。美国国家公路交通安全办理局(NHTSA)指出,这些数据能够供给有关磕碰严峻程度的名贵信息,且能够用来判别事端产生时轿车是否操作妥当。EDR中存储的信息也可用于查找事端产生的首要原因,然后协助轿车制造商改善和布置更先进的安全体系。此外,该数据也有助于政府组织和路途建设公司在公路施工期间采用恰当的安全措施,然后将施工缺点/过错降至最低,避免丧命事端。

EDR是怎么发挥作用的?

EDR需求具有以下几个要害特性:精度; 搜集;存储;耐受性;可回收性。

当事端产生时,来自不同方位的多个传感器的确诊信息会发送到EDR,便于EDR内的操控器芯片进行数据解析和起动相应的操控举动。磕碰检测算法会依据传感器输入的数据确认是否翻开安全气囊。磕碰传感运用的猜测算法以各种冲击条件对应的校准值为根底。此猜测算法一般有必要在冲击产生后50毫秒内确认是否翻开安全气囊。图2为典型的EDR框图


图2:EDR典型框图

EDR模块能够接连监督传感器数据值,并将它们存储在一个一般创建在操控器RAM中的循环缓冲区内。图3为车辆中的EDR模块,图4为EDR模块的内部结构。


图3:车辆中的EDR模块


图4:EDR内部结构

EDR要求以粒度记载数据,这是因为事端重建一般需求每5~8毫秒捕获的数据样本,以出现并复原事端现场。在从各个传感器收集到的数据被新的数据掩盖前,需求存储并保存在循环缓冲区内至少5到10秒。当安全气囊传感体系算法确诊冲击时,缓冲区刷新会暂停,安全气囊翻开并发动。安全气囊翻开时,司机安全带开关状况、乘客安全气囊开关状况、正告灯状况及翻开时刻会被暂时捕获并存储在RAM内。用来确认是否翻开安全气囊的要害参数值也捕捉到RAM中。履行算法后150ms,RAM中存储的数据会转移到非易失性内存。运用EEPROM时,需求大约700毫秒,以记载一切信息。

为避免重要数据丢掉并保证数据安全地存储在EEPROM中,安全气囊操控模块有必要保证备用电源可继续供给700 ms,以便完整地记载信息。未能供给要求的备用电源时,或许会从数据记载器或EDR中康复不到任何数据。或许产生的一种状况便是电源在磕碰中产生灾难性丢掉。在此状况下,安全气囊操控模块备用电源(一般是电容器)会优先用于翻开安全气囊,假如没有剩下电量给记载器,即便安全气囊成功翻开,也不会有数据存储。

一旦安全气囊翻开记载写入非易失性内存,就不能删去、修正或许由服务或事端查询人员清空。一切的存储数据可用恰当的辨认软件和接口硬件康复。

为什么要在轿车中运用“FRAM”?

与EEPROM和FLASH非易失性内存比较,FRAM在EDR运用上有三大要害优势。首要,关于那些有准确时刻要求的运用来说,FRAM会当即具有非易失性。这些运用在体系产生毛病时,最重要的数据,如数据记载器一般会面临危险。其次, FRAM擦写周期为10E+14,而EEROM为10E+6,FLASH为10E+5,。因而,FRAM是数据记载器的抱负挑选,其数据可继续写入。最终,FRAM的读写操作功耗低,关于具有独立有限电源如电池或%&&&&&%的运用来说,特别具有高效性。

FRAM更能习惯外界温度,这意味着工作温度升高时,其擦写周期和数据保存更能经受考验。许多EEPROM耐温为85°C,在耐温要求为125°C的轿车运用中,耐擦写才能会降到10E + 5,因而不适于轿车运用。

大多数现有的EDR解决计划是将接连数据记载到RAM缓冲区,只要在事端期间触发安全气囊翻开算法时才转移到非易失性内存。因而,假如事端简直丧命,安全气囊没有翻开,且电源缺失,磕碰数据将有或许不会保存到非易失性空间。这样,EDR就没有最终一刻的数据,将无法进行事端复原。因为FRAM能够存储最终一刻磕碰数据,且不需求任何外部电源,因而能够在这种状况下发挥要害作用。以下为FRAM在轿车运用方面的要害优势:

在SRAM中挨近无限次的擦写周期:

FRAM能够用作SRAM数据缓冲区。运转期间,操控器能直接在FRAM中接连记载事端。FRAM是一种非易失性内存,掉电状况下也可保存数据。因而,即便主电源产生灾难性的损坏,最终一刻数据也不会丢掉。因为数据直接写入FRAM,因而无需将最终一刻的数据从SRAM转移到非易失性空间,如EEPROM或Flash中。运用FRAM,无需备用电源,即可保存最终一刻的磕碰数据。


图5:Cypress的FRAM擦写周期与EEPROM和Flash的比照

无写推迟:

某些事端需求每秒钟记载1000次,以捕捉每一个细节,这关于现有的EEPROM和根据Flash的EDR而言是个很大的应战。EEPROM一般是逐页存储数据,每两页之间需求几毫秒的存储时刻延时,然后约束了数据记载功用。FRAM的“无推迟”写入功用,使体系规划师能够体系总线速度取得和写入实时数据。

快写和低功耗

FRAM具有高速串行SPI和I2C接口及高速并行同步拜访,加之其一流的非易失性写入速度,使得操控器能够用较少的时刻将数据写入FRAM。其功耗仅仅现有计划总功率的一小部分。


图6:Cypress的FRAM能耗与EEPROM和Flash的比照

高牢靠性:

要完成精度、耐受性、可回收性及耐久性的方针,EDR的数据牢靠性至关重要。因为此内存空间用来记载要害的传感器数据,因而轿车运用有必要具有高牢靠性和数据完整性。

定论

比较于其他商场,轿车商场更为重视技能老练度。EEPROM和Flash技能易于了解,且已在首要供给商建立了质量操控根底设施。一般,面临新引进的技能,人们总是迟迟不肯采用,技能人员有必要在对其牢靠性和可用性定心无忧后才乐意采用举动。现在,FRAM在轿车行业的出售数量已超越5亿台,技能已适当老练,轿车行业的客户完全能够对此定心无忧。

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