上节将到官方例程运用EEPROM存储外围电路耗费的电流值，今日咱们对STM8L的EEPROM介绍下。STM8L带有的32K的FLASH和1K的EEPROM都可以编程和擦除，编程形式有1、字节byte，2、字word，3、BLOCK和4、编程和擦写完中止。
因为默许是确定的，所以对FLASH和EEPROM编程首先要解锁，解锁的方法是写如寄存器特定值，0X56 0XAE。在IAR编译器傍边，__eeprom用于EEPROM存储空间,操控数据寄存，操控指针类型和寄存。@用于变量的肯定地址定位。也可以用#pragma location指令。
EEPROM区域数据存储：
用关键字__eeprom操控来寄存，__eeprom关键字写在数据类型前后作用相同。
__eeprom unsigned char a;//界说一个变量寄存在EEPROM空间
unsigned char __eeprom a;//作用同上
__eeprom unsigned char p[];//界说一个数组寄存在EEPROM空间
关于EEPROM空间的变量操作同SRAM数据空间的操作方法相同，编译器会主动
调用__EEPUT(ADR,VAL)，__EEGET(VAR, ADR)宏函数来对EEPROM变量的
操作。
EEPROM空间肯定地址定位：
__eeprom unsigned char a @ 0x8;//界说一个变量寄存在EEPROM空间
0X08单元
__eeprom unsigned char p[] @ 0x22//界说一个数组寄存在EEPROM空间，
开端地址为0X22单元
__eeprom unsigned char a @ 0x08=9;//界说一个常数寄存在EEPROM空
间0X08单元
__eeprom unsigned char p[] @0x22={1，2，3，4，5，6，7，8};
//界说一个组常数寄存在EEPROM空间开端地址为0X22单元
因为常数在EEPROM空间的地址是现已分配的，读取EEPROM空间值可以用
变量和地址。
需求用户外加三个函数才干使得编译器运用_eeprom变量主动写入EEPROM。
/*
* The user must implement the three extern-declared functions below
* in order for the compiler to be able to automatically write to the
* EEPROM memory when __eeprom variables are assigned to.
*/
/*
* Wait for the last data EEPROM operation to finish.Return 0 if the
* operation failed, otherwise non-zero.You may want to handle
* errors here, since the utility functions below simply ignore
* errors, aborting multi-write operations early.
*/
int __eeprom_wait_for_last_operation(void)
{
FLASH_Status_TypeDef status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MemType_Data);
return !!(status & (FLASH_Status_Successful_Operation));
}
/*
* Write one byte to the data EEPROM memory.
*/
void __eeprom_program_byte(unsigned char __near * dst, unsigned char v)
{
FLASH_ProgramByte((u32)dst, (u8)v);
}
/*
* Write one 4-byte long word to the data EEPROM memory.The address
* must be 4-byte aligned.
*/
void __eeprom_program_long(unsigned char __near * dst, unsigned long v)
{
FLASH_ProgramWord((u32)dst, (u32)v);
}
加入了这三个函数后，咱们就可以很便利的运用_eeprom的界说变量了
void main(void)
{
uint8_t temp1=a;
//temp1=2;
//temp2=0;
/* Initialize I/Os in Output Mode */
GPIO_Init(LED3_PORT,LED3_PIN,GPIO_Mode_Out_PP_Low_Fast);
//输出低电平-高速10M
GPIO_Init(LED4_PORT,LED4_PIN,GPIO_Mode_Out_PP_Low_Fast);
//输出低电平-高速10M
FLASH_Unlock(FLASH_MemType_Data);
FLASH_ProgramByte(0x1001, temp1);//eeprom memory: address is 0x1001 =temp1
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MemType_Data);
//temp2=FLASH_ReadByte(0x1000);
if(num==a)
GPIO_SetBits(LED3_PORT,LED3_PIN);
while(1);
}
