日经新闻报道，夏普正与尔必达联手开发下一代ReRAM可变电阻式闪存芯片，估计在2013年完成量产。
早在2007年，富士通就宣告开发出了这种可变电阻式闪存芯片，它在下降功耗的一起写入速度到达现在手机所用NAND闪存芯片的10000倍。
日经新闻称，选用ReRAM芯片的设备能够在几秒钟的时间内下载一部高清电影，待机形式下功耗简直为零。
除了夏普和尔必达外，日本工业技能归纳研究所、东京大学以及其它芯片设备制造商也将加入到研制作业傍边。该芯片最早将在2013年完成量产，尔必达将或许担任这一出产作业。
此外其它竞争对手相同也在活跃研制新式存储芯片，东芝就在开发一种层式结构(layered structure)闪存芯片;三星除了研制ReRAM外，相变式存储芯片和磁性存储芯片的开发作业也在进行中。
