变容二极管（Varactor Diodes）又称“可变电抗二极管”，是运用pN结反偏时结电容巨细随外加电压而改动的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为几十皮法到几百皮法，最大区容与最小电容之比约为5:1。它首要在高频电路顶用作自动调谐、调频、调持平、例如在电视接纳机的调谐回路中作可变电容。
效果特色
1、变容二极管的效果是运用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器材，在高频调谐、通讯等电路中作可变电容器运用。
变容二极管归于反偏压二极管，改动其PN结上的反向偏压，即可改动PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的联系对错线性的，如右图所示。
变容二极管与反向偏压
2、变容二极管的电容值与反向偏压值的联系图解：
（a） 反向偏压添加，形成电容削减；
（b） 反向偏压削减，形成电容添加。
电容差错规模是一个规则的变容二极管的电容量规模。数据表将显现最小值、标称值及最大值，这些常常绘在图上。
变容二极管又称“可变电抗二极管”。所用资料多为硅或砷化镓单晶，并选用外延工艺技术。反偏电压愈大，则结电容愈小。变容二极管具有与衬底资料电阻率有关的串联电阻。
图 是变容二极管的电路图形符号。
变容二极管归于反偏压二极管，改动其PN结上的反向偏压，即可改动PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的联系对错线性的。
变容二极管有玻璃外壳封装（玻封）、塑料封装（塑封）、金属外壳封装（金封）和无引线外表封装等多种封装方式、如图所示。一般，中小功率的变容二极管选用玻封、塑封或外表封装，而功率较大的变容二极管多选用金封。
结构原理
图1 变容二极管的结构原理、简化等效电路及电路符号
变容二极管的结构原理
参见图1（a）。从本质上讲，它归于反偏压的二极管，其结电容便是耗尽层的电容。可近似反耗尽层视为平行板电容器，两个导电板之间有介质。因而，结电容C1的容量与耗尽层的宽度d成反比，有公式C1∝1/d，又由于d与反向偏压VR的n次方成正比（n是与掺杂浓度有关的常数），故C1∝1/VRn，因而，反向偏压愈高，耗尽区就愈宽，而结电容量愈小。反之亦然。（a）图中，VR1＞VR2，故d2＞d1，Cj2＜Cj1。
变容二极管的简化等效电路及电路符号别离如图1（b）、（c）所示。图顶用一只可变电容来表明结电容。R2是半导体资料的电阻。
正负极区别
挑选500型万用表的R&TImes;1k档。首先将红表笔接一端，黑表笔接另一端，若测得电阻值为6.5kΩ，与此同时记下表针倒数偏转格数n′≈19.7格。然后交流管脚方位后从头丈量，电阻值变成无穷大。由此断定第一次为正向接法，正向电阻为6.5kΩ，正导游通电压VF=0.03V/格&TImes;9.7格=0.59V。第2次则归于反向接法。该管子具有单导游电性，而且接近红色环的管脚为正极。欲丈量变容二极管的结电容，可选用100pF量程的线性电容表。
特性参数
①最高反向作业电压VR：是指加在变容二极管两头的反向电压不能超过的电压答应值。
②反向击穿电压VB。：在施加反向电压的情况下，使变容二极管击穿的电压。
③结电容C：它是指在一特定的反偏压下，变容二极管内部PN结的电容。
④结电容改动规模：在作业电压规模内结电容的改动规模。
⑤电容比：是指结电容改动规模内的最大电容与最小电容之比。
⑥Q值：是变容二极管的品质因数，它反映了对回路能量的损耗。
毛病体现
变容二极管发作毛病，首要体现为漏电或功能变差：
（1）发作漏电现象时，高频调制电路将不作业或调制功能变差。
（2）变容功能变差时，高频调制电路的作业不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接纳后发生失真。
呈现上述情况之一时，就应该替换同类型的变容二极管。
