LED芯片分类
1.MB芯片界说与特色
界说﹕
MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片归于UEC 的专利产品
特色﹕
1、 选用高散热系数的资料—Si 作为衬底﹐散热简单.
Thermal ConducTIvity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，一起反射光子，防止衬底的吸收.
3、导电的Si 衬底替代GaAs 衬底，具有杰出的热传导才能(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流范畴。
4、底部金属反射层﹐有利于光度的提高及散热
5、尺度可加大﹐使用于High power 范畴﹐eg : 42mil MB
2.GB芯片界说和特色
界说﹕
GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片归于UEC 的专利产品
特色﹕
1﹕通明的蓝宝石衬底替代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底相似TS芯片的GaP衬底.
2﹕芯片四面发光﹐具有超卓的Pattern图
3﹕亮度方面﹐其全体亮度已超越TS芯片的水平(8.6mil)
4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
3.TS芯片界说和特色
界说﹕
TS 芯片﹕ transparent structure(通明衬底)芯片﹐该芯片归于HP 的专利产品。
特色﹕
1.芯片工艺制造杂乱﹐远高于AS LED
2. 信任性杰出
3.通明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
4.使用广泛
4.AS芯片界说与特色
界说﹕
AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔通过近四十年的开展尽力﹐台湾LED光电业界关于该类型芯片的研制﹑出产﹑出售处于老练的阶段﹐各大公司在此方面的研制水平根本处于同一水平﹐距离不大.
大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及牢靠度与台湾业界还有必定的距离﹐在这里咱们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特色﹕
1. 四元芯片﹐选用 MOVPE工艺制备﹐亮度相关于惯例芯片要亮
2. 信任性优秀
3. 使用广泛
发光二极管芯片资料磊晶品种
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs
6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
