在光敏电阻两头的金属电极之间加上电压，其间便有电流经过，遭到恰当波长的光线照耀时，电流就会随光强的添加而变大，然后完成光电转化。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器材，使用时既可加直流电压，也能够加沟通电压。
光敏电阻是选用半导体资料制造，使用内光电效应作业的光电元件。它在光线的效果下其阻值往往变小，这种现象称为光导效应，因而，光敏电阻又称光导管。
结构原理
光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体资料制成的特别电阻器，外表还涂有防潮树脂，具有光电导效应。光敏电阻的作业原理是根据内光电效应，即在半导体光敏资料两头装上电极引线，将其封装在带有通明窗的管壳里就构成光敏电阻。为了添加灵敏度，两电极常做成梳状。
半导体的导电才能取决于半导体导带内载流子数目的多少。当光敏电阻遭到光照时，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，成为自由电子，一起发生空穴，电子—空穴对的呈现使电阻率变小。光照愈强，光生电子—空穴对就越多，阻值就愈低。当光敏电阻两头加上电压后，流过光敏电阻的电流随光照增大而增大。入射光消失，电子—空穴对逐步复合，电阻也逐步康复原值，电流也逐步减小。
光敏电阻对光线非常灵敏，其在无光照时，呈高阻状况，暗电阻一般可达1.5MΩ。当有光照时，资猜中激起出自由电子和空穴，其电阻值减小，跟着光照强度的升高，电阻值敏捷下降，亮电阻值可小至1KΩ以下。
光敏电阻器的光照特性在大多数情况下对错线性的，只需在细小的规模内呈线性，光敏电阻器的电阻值有较大的离散性（电阻改动、规模大无规律）。
光敏电阻器的灵敏度是指光敏电阻器不遭到光照是的电阻值（暗阻）和遭到光照时电阻值（亮阻）的相对改动值。光敏电阻的暗阻和亮阻间阻值之比约为1500：1，暗阻值越大越好，使用时给其施加直流或沟通偏压，MG型光敏电阻器适用于可见光。其主要用于各种主动控制电路、光电计数、光电盯梢、光控电灯、照相机的主动暴光及彩色电视机的亮度主动控制电路等场合。
它的作业原理是：
用于制造光敏电阻的资料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。一般选用涂敷、喷涂、烧结等办法在绝缘衬底上制造很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，然后接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，避免受潮影响其灵敏度。光敏电阻的原理结构如图所示。
在漆黑环境里，它的电阻值很高，当遭到光照时，只需光子能量大于半导体资料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中发生一个带正电荷的空穴，这种由光照发生的电子—空穴对添加了半导体资猜中载流子的数目，使其电阻率变小，然后形成光敏电阻阻值下降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激起发生的电子—空穴对将逐步复合，光敏电阻的阻值也就逐步康复原值。
在光敏电阻两头的金属电极之间加上电压，其间便有电流经过，遭到恰当波长的光线照耀时，电流就会随光强的添加而变大，然后完成光电转化。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器材，使用时既可加直流电压，也能够加沟通电压。
光敏电阻是使用半导体光电导现象来勘探光信号的器材。它能够是单晶薄片、多晶薄片、烧结成的多晶薄膜、真空蒸发薄膜、化学淀积薄膜或溅射膜等。
光敏电阻又称为光导，简直都是用半导体资料制成。光敏电阻的结构和接线图如图所示。
光敏电阻在遭到光的照耀时，因为内光电效应使其导电功能增强，电阻值下降，所以流过负载电阻RL的电流及其两头电压也随之改动。光线越强，电流越大，阻值也变得越低。当光照中止时，光电效应消失，电阻康复原值。若把光敏电阻接成闭合回路，经过改动光照的强度就可改动回路中的电流巨细，可将光信号转化为电信号。
光敏半导体资料有硅、锗、硫化镉、硫化铅、锑化铟、硒化镉等。关于不具备发光特性的纯半导体能够参加适量杂质使之发生光电效应特性。用来发生这种效应的物质由金属的硫化物、硒化物、碲化物等组成，如硫化镉、硫化铅、硫化铊、硫化铋、硒化镉、硒化铅、碲化铅等。光敏电阻使用取决于它的一系列特性，如暗电流、光电流、光敏电阻的伏安特性、光照特性、光谱特性、频率特性、温度特性以及光敏电阻的灵敏度、时间常数和最佳作业电压等。
