为小功率 IGBT 和 MOSFET 供给直接驱动，并且最高工作温度可到达125℃。
近几年，跟着工业用品和消费品中印刷电路板的拼装密度的添加，出现将机载半导体元件加热到高温的趋势。关于这种半导体元件而言，意味着关于在工作温度範围内确保功能和高环境温度下牢靠性要求的进步。为应对这种要求，东芝开宣布两种光电耦合器，TLP351H 和 TLP701H。除可以直接驱动相似的小功率 IGBT 和 MOSFET 外，这些新开发的光电耦合器确保它们当时产品 TLP351 和 TLP701 的最大工作温度为从 100℃ 至 125℃。
TLP351H (DIP8封装)
封装在 DIP8 封装中的 TLP351H 光电耦合器可直接驱动小功率 IGBT 和 MOSFET 的栅极。因为採用新开发的 LED，TLP351H 确保工作温度範围为 -40℃ 至 125℃。与其当时产品 TLP351 相似，TLP351H 运用 BiCMOS 工艺製造，因而需要不超越 2 mA 的电源电流，并具有在该职业中功率耗费最低的特色(注 1)。TLP351H 适用于一直在高温条件下运转的家用用具和工业用处。
TLP701H (SDIP6 封装)
封装在 SDIP6 封装中的 TLP701H 光电耦合器可直接驱动小功率 IGBT 和 MOSFET 的栅极。TLP701H 佔用 DIP8 封装大约一半的封装尺度，并契合世界安全标準的强制绝缘要求(待 VDE 认证)。因为採用与 TLP351H 相同的 LED，TLP701H 相同确保工作温度範围为 -40℃ 至 125℃。
注 1：依据东芝公司于 2010 年 5 月履行的 IGBT/功率-MOSFET 门驱动器光电耦合器查询。
管脚装备
