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根据CMOS LNAs器材完成低噪声放大器电路的规划

基于CMOS LNAs器件实现低噪声放大器电路的设计-目前,在高达数GHz的RF频段范围内,广泛使用的是GaAs MESFET LNAs,其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时,使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟,近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多,在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大,功率损耗大等缺点,凭借其低廉的价格,CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内,逐渐取代GaAs MESFET LNAs。

1 引 言

现在,在高达数GHz的RF频段范围内,广泛运用的是GaAs MESFET LNAs,其长处是能够在功率增益高达20 dB的一起,使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技能的老练,近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多,在无线通信体系上也现已完成了SoC化。假如CMOS制作技能能克服噪声大,功率损耗大等缺陷,凭仗其低价的价格,CMOS LNAs将有或许在数GHz的RF频段范围内,逐步替代GaAs MESFET LNAs。

由于LNAs一般坐落整个接纳电路的榜首级,由式(1)能够看出,榜首级的LNAs关于接纳电路有很大的影响。一切在规划LNA电路时,应考虑下降噪声,进步增益,输入输出阻抗匹配,下降功率损耗,进步线性度等重要要素。

依据CMOS LNAs器材完成低噪声扩大器电路的规划

2 低噪声扩大器电路规划

如图1所示,规划一个cascode型输入的低噪声扩大器。图中Ls及Lg用来完成输入阻抗匹配,而调整Ld和Cout能够完成输出阻抗匹配。Cin能够用来阻挠输入端的直流信号。

从输入部分电路能够计算出输入阻抗为:

调整Ls使得输入阻抗Zin实部为50 Ω,再调整Lg使得Zin虚部为0。如此即可调出Ls和Lg来完成电路的输入阻抗。可是由于散布参数的影响,Ls和Lg的值还必须代入仿真软件做进一步调整。

关于扩大器的输出,由于扩大器运用LC并联电路作为负载,所以当LC谐振在2.38 GHz时,抱负的LC电路应呈现出开路状况,此刻负载最大,增益也最大。可是电路的增益依然遭到电感电容的Q值影响,所以在进行软件仿真时还需经过调整电感电容值来调整LNA的中心频率。

3 本LNA中无源器材的结构

由于此规划选用全集成化规划,所以无源器材都用CMOS工艺制作在芯片内部,即内嵌式(on-chip)。

3.1 电感结构

此电路中电感选用内嵌式螺旋电感。选用内嵌式电感能够节省面积,进步电路集成度,可是却献身了Q值,而且在CMOS工艺中电感的制备比较难以操控,所以在实践layout时将螺旋电感的中心拿掉,由于越挨近中心,电荷密度越大,但中心部分对电感值的奉献不大,中心去掉不会对整个电感有太大影响,还能够进步Q值。

用ADS完成一个2.38 GHz全集成化低噪声扩大器规划

3.1.1 电容结构

此电路中选用MIM(metal-insulator-metal)电容,是平板电容的一种变形,如图3所示。这种电容的优点是容值较为固定,而且结构简略。比较一般平板电容,在上下级板中心多了一层CTM(Capacitor TopMetal)层,能够经过缩短两极板之间的间隔来进步容值或缩小电容所占面积。

3.1.2 电阻结构

在当时的CMOS工艺中,依据不同的资料和制备工艺,常用的电阻有Well电阻、Poly电阻、Diffusion电阻和Metal电阻。各种电阻的导电层特性如下:

在规划的时分要注意,制作时电阻值越小差错越大,所以资料挑选、运用面积和阻值差错等要归纳考虑。

4 仿真规划

(1)确认规划方针。本文中电路作业在蓝牙体系中,作业频率为2.38 GHz,规划一个超低噪声以及超高增益的LNA电路。

(2)规划电路结构。本电路根本结构为cascode单级扩大电路,再加上一些周边的匹配电路和电压偏置电路来构成LNA电路。

(3)本文运用安捷伦的ADS体系来做高频仿真,运用0.25μm的RF模型。首要仿真S参数、噪声系数、线性度、功率增益等LNA电路的重要参数。

(4)依据0.25μm制作工艺的layout规矩来规划电路中的各个元件,而且尽量做到电路对称。

5 仿真成果

本文电路运用0.25μm制作工艺,电源电压2.5 V,作业频率2.38 GHz的全集成化单端LNA电路。

5.1 S参数仿真

图4是此电路在ADS中的仿真成果,图4(a)中S11是电路输入反射系数,为-12.203 dB;图4(b)中S12为电路的阻隔度(isolation),防止LNA下一级的反射信号影响到LNA输入端的信号,本电路中为-24.67 dB;图4(c)中S21表明电路的功率增益,其值为20.47 dB;图4(d)中S22为输出反射系数,大约为-22.33 dB。

5.2 线性度仿真

一般来说,一个体系的线性度越高越好,可是电路中含有晶体管等非线性有源器材,所以在LNA电路作业在较高功率时,输出会发生非线性失真。在仿真时,为了表明线性度,界说出一个1 dB点,表明输出比较输入紧缩了1 dB。由图5中能够看出,1 dB点呈现的越靠后,阐明线性度越好。本电路仿真出的1 dB点在-25 dBm的方位。

5.3 噪声系数仿真

噪声系数是关系到一个扩大器功能好坏的重要参数,其界说为输入信噪比和输出信噪比的比值:

其间:So为输出端的信号功率,Si为输入端的信号功率,Ni为输入端的噪声功率,No为输出端的噪声功率。图6为本电路仿真的噪声系数,大约为1.54 dB。

用ADS完成一个2.38 GHz全集成化低噪声扩大器规划

6 结语

规划射频电路的LNA,在开端规划的时分就要考虑许多要素,例如为了进步增益,便要添加功率耗费,为了与下一级耦合,或许会影响整个LNA功能。经过归纳的平衡,才干规划出满意不同功能需求的低噪声扩大电路。本文规划的电路,在供给20 dB高增益的一起,只要1.5 dB的噪声系数,达到了规划要求。

责任编辑:gt

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