在电信工业和微波电路设计范畴，遍及运用MOS管操控冲击电流的方抵达电流缓发动的意图。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简略的特色，在周围加上少数元器材就能够构成缓慢发动电路。虽然电路比较简略，但只要吃透MOS管的相关开关特性后才能对这个电路有深化的了解。
本文首先从MOSFET的注册进程进行叙说：
虽然MOSFET在开关电源、电机操控等一些电子体系中得到广泛的运用，可是许多电子工程师并没有十分清楚的了解MOSFET开关进程，以及MOSFET在开关进程中所在的状况一般来说，电子工程师一般根据栅极电荷了解MOSFET的注册的进程，如图1所示此图在MOSFET数据表中能够查到
图1 AOT460栅极电荷特性
MOSFET的D和S极加电压为VDD，当驱动注册脉冲加到MOSFET的G和S极时，输入电容Ciss充电，G和S极电压Vgs线性上升并抵达门槛电压VGS(th)，Vgs上升到VGS(th)之前漏极电流Id≈0A，没有漏极电流流过，Vds的电压坚持VDD不变。
当Vgs抵达VGS(th)时，漏极开端流过电流Id，然后Vgs持续上升，Id也逐步上升，Vds依然坚持VDD当Vgs抵达米勒渠道电压VGS(pl)时，Id也上升到负载电流最大值ID，Vds的电压开端从VDD下降。
米勒渠道期间，Id电流保持ID，Vds电压不断下降。
米勒渠道完毕时间，Id电流依然保持ID，Vds电压下降到一个较低的值米勒渠道完毕后，Id电流依然保持ID，Vds电压持续下降，但此刻下降的斜率很小，因而下降的起伏也很小，最终安稳在Vds=Id×Rds(on)因而一般能够以为米勒渠道完毕后MOSFET根本上现已导通。
关于上述的进程，了解难点在于为什么在米勒渠道区，Vgs的电压安稳?驱动电路依然对栅极供给驱动电流，依然对栅极电容充电，为什么栅极的电压不上升?并且栅极电荷特性关于形象的了解MOSFET的注册进程并不直观因而，下面将根据漏极导通特性了解MOSFET注册进程。
MOSFET的漏极导通特性与开关进程。
MOSFET的漏极导通特性如图2所示MOSFET与三极管相同，当MOSFET运用于扩大电路时，一般要运用此曲线研究其扩大特性仅仅三极管运用的基极电流、集电极电流和扩大倍数，而MOSFET运用栅极电压、漏极电流和跨导。
图2 AOT460的漏极导通特性
三极管有三个作业区：截止区、扩大区和饱满区，MOSFET对应是关断区、恒流区和可变电阻区留意：MOSFET恒流区有时也称饱满区或扩大区当驱动注册脉冲加到MOSFET的G和S极时，Vgs的电压逐步升高时，MOSFET的注册轨道A-B-C-D如图3中的道路所示：
图3 AOT460的注册轨道
注册前，MOSFET开端作业点坐落图3的右下角A点，AOT460的VDD电压为48V，Vgs的电压逐步升高，Id电流为0，Vgs的电压抵达VGS(th)，Id电流从0开端逐步增大。
A-B便是Vgs的电压从VGS(th)增加到VGS(pl)的进程从A到B点的进程中，能够十分直观的发现，此进程作业于MOSFET的恒流区，也便是Vgs电压和Id电流主动找平衡的进程，即Vgs电压的改变伴随着Id电流相应的改变，其改变联系便是MOSFET的跨导：Gfs=Id/Vgs，跨导能够在MOSFET数据表中查到。
当Id电流抵达负载的最大答应电流ID时，此刻对应的栅级电压Vgs(pl)=Id/gFS因为此刻Id电流安稳，因而栅极Vgs电压也安稳不变，见图3中的B-C，此刻MOSFET处于相对安稳的恒流区，作业于扩大器的状况。
注册前，Vgd的电压为Vgs-Vds，为负压，进入米勒渠道，Vgd的负电压绝对值不断下降，过0后转为正电压驱动电路的电流绝大部分流过CGD，以打扫米勒电容的电荷，因而栅极的电压根本保持不变Vds电压下降到很低的值后，米勒电容的电荷根本上被打扫，即图3中的C点，所以，栅极的电压在驱动电流的充电下又开端升高，如图3中的C-D，使MOSFET进一步彻底导通。
C-D为可变电阻区，相应的Vgs电压对应着必定的Vds电压Vgs电压抵达最大值，Vds电压抵达最小值，因为Id电流为ID安稳，因而Vds的电压即为ID和MOSFET的导通电阻的乘积。
根据MOSFET的漏极导通特性曲线能够直观的了解MOSFET注册时，跨过关断区、恒流区和可变电阻区的进程米勒渠道即为恒流区，MOSFET作业于扩大状况，Id电流为Vgs电压和跨导乘积。
电路原理具体阐明：
MOS管是电压操控器材，其极间电容等效电路如图4所示。
图4. 带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路
MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs、漏源电容Cds能够由以下公式确认：
