用矩阵寻址光电二极管阵列完成的CMOS图画传感器(CIS)解决方案能够充分利用高度开展的半导体制作根底所带来的规模经济。芯片职业正在向更精密的亚微型节点稳步开展，再加上更多根据每像素的功用，这些都在不断推进CIS解决方案领先于电荷耦合器材(CCD)的脚步。
事实上，CIS技能能够将成像、守时和读出功用悉数集成在同一器材上。这就使得有用的片上体系解决方案在以显现为中心的使用中占有越来越重要的位置。尽管这两种技能的噪声级具有可比性，但CIS技能的饱满才能比CCD技能高得多。
最近CMOS处理技能的前进，特别是暗电流的有用消除，推进了CIS技能的开展。暗电流是在没有光照的情况下由光电二极管发生的。这种有害的电流是由空气中的挥发性有机化合物(VOC)生成的，也被称为“光化学烟雾”。VOC会对CIS光电二极管阵列的才能发生负面影响，然后将顺便的光子流量转换成高分辨率数字图画。
为了防止暗电流下降图画质量，Dongbu公司的一个团队在CMOS感光层进行了一个三管齐下的战略。首先在浅沟槽阻隔(STI)和光电二极管的接合处构建P+区，消除因为非一致性硅接口而导致的暗电流(图1)。然后再经过 掩模多晶硅来构成一个维护电极，然后完成高达1000万像素的均匀色泽(图2)。最终经过注入歪斜离子来除掉“成像滞后”现象(图3)。
