分压式偏置电路
分压式偏置电路是三极管另一种常见的偏置电路。这种偏置电路的方式固定，所以识别方法适当简略。
1.分压式偏置电路的组成
分压式偏置电路如图1（a）所示。其间：
Rb1和Rb2是基极偏置电阻。
C1是耦合电容，将输入信号vi耦合到三极管的基极。
Rc是集电极负载电阻。
（a）电路 （b）微变等效电路
图1 分压式偏置电路及其微变等效电路
Re是发射极电阻，Ce是Re的旁路电容，它为沟通信号供给通道，避免了Re对输入信号的衰减。Ce的电容量一般为几十微法到几百微法。
C2是耦合%&&&&&%，将集电极的信号耦合到负载电阻RL上。
图1（b）是图1（a）电路的微变等效电路。
2．安稳静态作业点原理
设流过基极偏置电阻
的电流IR》》IB，因而能够以为基极电位VB只取决于分压电阻、
，VB与三极管参数无关，不受温度影响。
静态作业点的安稳是由VB和Re一起效果完成，安稳进程如下：
其间：IC↑→IE↑是由电流方程 IE ＝ IB＋IC得出，IE↑→VBE↓是由电压方程VBE＝ VB－IERe得出，IB↓→IC↓是由 IC ＝βIB得出。
由上述剖析不难得出，Re越大安稳性越好。但事物总是具有两面性，Re太大其功率损耗也大，一起VE也会添加许多，使VCE减小导致三极管作业范围变窄。因而Re不宜获得太大。在小电流作业状态下，Re值为几百欧到几千欧；大电流作业时，Re为几欧到几十欧。
3．静态剖析
剖析图1电路的直流通路如图2，能够得出：
基极电位 VB ＝ VCC Rb2 / （Rb1+Rb2）
发射极电流 IE ＝（ VB－VBE）/ Re
集电极电流 IC≈IE
基极电流 IB ＝ IC / β
集射极电压 VCE＝ VCC －ICRc－IERe＝ VCC－%&&&&&%（Rc+Re）
4．动态剖析
依据图1（b）的微变等效电路，有
图2 根本扩大电路的直流通路
电压扩大倍数Av
Av ＝Vo/ Vi ＝ －βRL′/ rbe （2）
输入电阻ri
ri ＝ Vi / Ii （3）
＝ rbe // Rb1// Rb2≈rbe ＝ rbb` （1+β）26 mV/ IE
＝300Ω+（1+β）26 mV/ IE
依据输出电阻的界说，应将图1（b）微变等效电路的输入端短路，将负载开路。在输出端加一个等效的输出电压。所以输出电阻ro
ro ＝ rce∥Rc≈Rc （4）
