近来,中科院微电子研究所微波器材与集成电路研究室(四室)超高速电路课题组在超高速ADC/DAC芯片研发上获得突破性发展,成功研发出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片。
ADC芯片选用带插值均匀的Flash结构,集成约1250只晶体管。测验成果表明,芯片能够在8GHz时钟频率下安稳作业,最高采样频率可达9GHz。超高速DAC芯片选用根据R-2R的电流开关结构,一起集成了10Gbps自测验码流产生电路,共包括1045只晶体管。测验成果表明,该芯片能够在10GHz时钟频率下正常作业。
超高速ADC/DAC芯片在光通讯及无线宽带通讯范畴有宽广的使用远景。这两款芯片的研发成功,大大提升了国内单片高速ADC和DAC电路的最高采样频率,也为往后研发更高功能ADC/DAC电路打下了坚实的根底。

图1:高速ADC芯片评价板以及芯片相片

图2:8GS/s采样率下时钟输出以及D0、D1、D2数据信号眼图实测成果

图3:高速DAC芯片评价板以及芯片相片

图4:微分非线性差错(DNL)、积分非线性差错(INL)测验成果