SLC、MLC和TLC
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技能是MLC和TLC技能的延伸，最前期NAND Flash技能架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器贮存单元(cell)中寄存1位元(bit)的材料，直到MLC(Multi-Level Cell)技能接棒后，架构演进为1个存储器贮存单元寄存2位元。
2009年TLC架构正式面世，代表1个存储器贮存单元可寄存3位元，本钱进一步大幅下降。
如同上一波SLC技能转MLC技能趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发烽火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶忙参加战局，使得整个TLC技能许多被量产且运用在终端产品上。
TLC芯片尽管贮存容量变大，本钱低价许多，但因为效能也大打折扣，因而仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
象是内嵌世纪液体运用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技能门槛高，关于NAND Flash效能讲究高速且不犯错等运用产品，则一定要运用SLC或MLC芯片。
2010年NAND Flash商场的首要生长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都有必要要运用SLC或MLC芯片，因而这两种芯片都处于缺货状况，而TLC芯片却是继续供过于求，且将整个工业的平均价格往下拉，使得市调组织iSuppli在计算2010年第2季全球NAND Flash产量时，呈现稀有的商场规模缩小状况产生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，削减6.5%。
U盘MP3中运用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的差异：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿数长，价格超贵(约MLC 3倍以上的价格)，约10万次擦写寿数
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿数一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿数
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿数短，价格便宜，约500次擦写寿数，现在还没有厂家能做到1000次。
现在，安德旺科技出产的指纹U盘产品中选用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：选用H2testw v1.4测验，三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。
需求阐明的闪存的寿数指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿数影响不大。
下面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿数差异
SLC 运用正、负两种电荷 一个起浮栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿数。
MLC 运用不同电位的电荷，一个起浮栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿数，SLC-MLC【容量大了一倍，寿数缩短为1/10】。
TLC 运用不同电位的电荷，一个起浮栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿数，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿数缩短为1/20】。
闪存产品寿数越来越短，现在商场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿数差异太大
强烈要求数码产品的出产商在其运用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区别不清。就拿现在热销的MP3随身听来说，是买SLC仍是MLC闪存芯片的呢?在这里先告知咱们，假如你对容量要求不高，可是对机器质量、数据的安全性、机器寿数等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。可是大容量的SLC闪存芯片本钱要比MLC闪存芯片高许多，所以现在2G以上的大容量，低价格的MP3多是选用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受咱们的喜爱，可是其固有的缺陷，也不得不让咱们考虑一番。
什么是SLC?
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式贮存 。首要由三星、海力士、美光、东芝等运用。
SLC技能特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所贮存的电荷消除，通过这样的方法，便可贮存1个信息单元，这种技能能供给快速的程序编程与读取，不过此技能受限于Silicon efficiency的问题，有必要要由较先进的流程强化技能(Process enhancements)，才干向上进步SLC制程技能。
什么是MLC?
MLC英文全称(Multi Level Cell——MLC)即多层式贮存。首要由东芝、Renesas、三星运用。
英特尔(Intel)在1997年9月最早开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate(闪存存储单元中寄存电荷的部分)，然后运用不同电位(Level)的电荷，通过内存贮存的电压操控精准读写。MLC通过运用许多的电压等级，每个单元贮存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构能够一次贮存4个以上的值，因而，MLC架构能够有比较好的贮存密度。
与SLC比较MLC的优势：
签于现在商场首要以SLC和MLC贮存为主，咱们多了解下SLC和MLC贮存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构能够一次贮存4个以上的值，因而MLC架构的贮存密度较高，而且能够运用老旧的出产程备来进步产品的容量，无须额定出资出产设备，具有本钱与良率的优势。
与SLC比较较，MLC出产本钱较低，容量大。假如通过改善，MLC的读写功能应该还能够进一步进步。
与SLC比较MLC的缺陷：
MLC架构有许多缺陷，首先是运用寿数较短，SLC架构能够写入10万次，而MLC架构只能接受约1万次的写入。
其次便是存取速度慢，在现在技能条件下，MLC芯片理论速度只能到达6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。
再者，MLC能耗比SLC高，在相同运用条件下比SLC要多15%左右的电流耗费。
尽管与SLC比较，MLC缺陷许多，但在单颗芯片容量方面，现在MLC仍是占了肯定的优势。因为MLC架构和本钱都具有肯定优势，能满意2GB、4GB、8GB乃至更大容量的商场需求。
