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ST全新单芯片整合EMI和ESD维护功用

意法半导体(STMicroelectronics, ST)推出新款 EMIF06-MSD03F3 单晶片,该元件整合 EMI 滤波与静电放电(ESD)保护功能,适用于配备SD 3.0超高速(UHS-

意法半导体(STMicroelectronics, ST)推出新款 EMIF06-MSD03F3 单晶片,该元件整合 EMI 滤波与静电放电(ESD)维护功用,适用于装备SD 3.0超高速(UHS-I)micro-SD卡的手机、平板电脑和3G无线网卡。

EMIF06-MSD03F3裼梦⑿头庾凹际酰相较于竞赛产品,EMIF06-MSD03F3可援助插电式或机械式卡刺进辨认,这个特性让规划人员可以自在选用最适合运用规划和主机体系的卡辨认方法。新产品还内建提高电阻(pull up resistor),当无卡刺进时保证体系特性正常;此外还整合了可滤除GSM搅扰信号的EMI滤波器。

EMIF06-MSD03F3的首要特性:±15kV ESD维护电路(IEC 61000-4-2);维护SD卡的悉数材料线和电源线;7pF最大负载电容;16-bump 0.4mm距离离晶圆级封装(WLCSP);裼0.4mm距离WLCSP封装,尺度仅1.54 x 1.54mm,并裼ST独有的IPAD(Integrated Passive and Active Device technology)整合被迫和自动元件技能。

依据Strategy Analytics内建记忆卡的手机市场预测陈述显现,到2013年,约5亿台手机将内建UHS-I 相容SD卡。UHS类记忆卡具有最高2 Terabyte的贮存容量,其高速的贮存功用可提高顾客的运用体会,如直接录u高画质视讯、播映共用内容或备份材料。

手指触控手时机发生静电放电现象,这些静电可能会焚毁体系电路,因而卡内露出的针脚须具有静电放电维护功用。为保证体系与记忆卡之间的通讯速度不受影响,规划人员有必要依据特定介面的要求最佳化EMI滤波器与ESD维护晶片。意法半导体的新款晶片EMIF06-MSD03F3可维护材料速率高达 104MB/秒的UHS-I micro-SD记忆卡介面。

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