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产品概况
The H (metal Can), J (Ceramic), and K (metal Can) Packages From Linear Technology Are Now Obsolete
LTC®1155 双通道高端栅极驱动器答应在高端开关运用中运用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提高至正电源轨以上，从而在未运用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOSFET。微功率操作 (具有 8μA 待机电流和 85μA 作业电流) 使其在简直一切体系中运用时都能够完成最高的功率。
在该芯片上集成了过流检测功用电路，以在发作短路时供给主动停机。能够添加一个与电流检测相串联的延时，以避免在高浪涌电流负载 (例如：电容器和白炽灯) 上引起误触发。
LTC1155 选用一个 4.5V 至 18V 电源输入运作，并可安全地驱动简直一切 FET 的栅极。LTC1155 十分适合于低电压 (电池供电型) 运用，特别是在需求微功率“睡觉”操作的场合。
LTC1155 可供给 8 引脚 PDIP 封装和 8 引脚 SO 封装。
运用
- 笔记本电脑电源总线切换
- SCSI 终端电源转化
- 蜂窝电话电源办理
- 代替 P 沟道开关
- 继电器和螺线管驱动器
- 低频半 H 桥
- 电机转速和转矩操控
优势和特色
- 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET
- 8μA 待机电流
- 85μA 导通电流
- 短路维护
- 宽电源规模：4.5V 至 18V
- 受控接通和关断时刻
- 无外部充电泵组件
- 可代替 P 沟道高端 MOSFET
- 可兼容规范逻辑器材系列
- 选用 8 引脚 SO 封装
LTC1155电路图
LTC1155中文PDF下载地址
LTC1155下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/LTC1155.pdf
