宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣告，推出新的650V EF系列器材—SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩展其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩展了该公司的600V产品，为工业、通讯和可再生能源使用供给了迫切需要的电压余量。
今日推出的这批650V快速体二极管MOSFET选用E系列超级结技能制作，反向恢复电荷（Qrr）比传统MOSFET低10倍。这样器材就能更快地阻断电压，有助于防止共通和热过应力形成的失效，在零电压切换（ZVS）/软开关拓扑中提高可靠性，例如移相桥、LLC转换器和3电平逆变器。
21A SiHx21N65EF有5种封装方式，28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF各有两种封装。这些MOSFET的导通电阻别离只要157mΩ、102mΩ和95mΩ，栅极电荷也十分低，使得器材的传导损耗和开关损耗都极低，在太阳能逆变器、服务器和通讯电源体系、ATX/Silver PC开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器、外置式电动轿车（EV）充电桩等高功率、高性能开关使用，以及LED、高强度气体放电（HID）和荧光灯镇流器照明中起到节能的效果。
器材可接受雪崩和换向形式中的高能脉冲，保证限值经过100% UIS测验。MOSFET契合RoHS，无卤素。
新的650V EF系列MOSFET现可供给样品，并已完成量产，大宗订购的供货周期为十六周到十八周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology， Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器材）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制作商之一。这些元器材可用于工业、核算、轿车、消费、通讯、国防、航空航天、电源及医疗商场中简直一切类型的电子设备和配备。凭仗产品立异、成功的收买战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。
