王 莹 （《电子产品世界》修改）
近期，多家公司发布了碳化硅 （SiC）方面的新产品。作为新式 的第三代半导体资料之一，碳化硅 具有哪些优势，现在的开展程度 怎么？
不久前，碳化硅的前驱英飞凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC™ MOSFET ，值此时机，电子产品世 界访问了英飞凌电源与传感体系事 业部大中华区开关电源运用高档市 场司理陈清源先生。
碳化硅与氮化镓、硅资料的联系
碳化硅MOSFET是一种新器 件，使一些曾经硅资料很难被运用 的电源转化结构，例如电流接连模 式的图腾柱 PFC(CCM mode Totem Pole PFC)成为可行，别的因为价格高于同等级的硅器材，所以商场上 对其运用经历还需不断堆集添加。 好消息是碳化硅在运用上的技能门 槛并不高，信任假以时日，碳化硅 器材会用于服务器、数据中心、通 讯体系，详细产品是开关电源、工 业电源、太阳能逆变器、UPS(不 连续电源)，电池化成(formation)电 源、充电桩等。
与另一种宽带隙器材氮化镓 （GaN）比较，碳化硅器材商用历 史更长，因而技能和商场的承受程 度都愈加广泛。
英飞凌是商场上仅有能够供给 包括硅、碳化硅和氮化镓等资料的 全系列功率产品的制造商。此次新 产品的发布含义之一在于：完善了 其600 V/650 V细分范畴的硅基、 碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合。
那么，英飞凌怎么平衡三者的 联系？
陈清源司理指出，不同的客户 因为各自的运用场景和技能储备， 而对三种资料的器材有不同程度 的运用。硅资料因为技能成熟度最高，以及性价比方面的优势，所 以未来仍然会是各个功率转化范畴的首要器材。而氮化镓器材因为在 快速开关功能方面的优势，会在追 求高效和高功率密度的场合，例如 数据中心、服务器等，有较快的增 长。在三种资猜中，碳化硅的温度 稳定性和牢靠性都被商场验证，所 以在对牢靠性要求更高的范畴，例 如轿车和太阳能逆变器等，可看到 较快的增加。
650 V CoolSiC™ MOSFET 的特色及工艺
英飞凌650 V CoolSiC™MOSFET的额定值在(27~107) mΩ 之间，既可选用典型的TO-247 3 引脚封装，也支撑开关损耗更低的 TO-247 4引脚封装。与曩昔发布的 一切英飞凌CoolSiC™ MOSFET产 品比较，全新650 V系列根据先进 的沟槽半导体技能。经过最大极限 地发挥碳化硅强壮的物理特性，确 保了器材具有超卓的牢靠性、开关 损耗和导通损耗。此外，它们还具 备高的跨导水平（增益）、4 V的 阈值电压(Vth)和短路稳健性。总而 言之，沟槽技能能够在毫不折衷的 情况下，在运用中完成 最低的损耗，并在运转 中完成最佳牢靠性。
