面对的问题：
该电子设备为300MHz频段专用的无线通讯设备，EMC认证没有问题，但该设备本身作业并不正常，曾经曾用频谱仪配近场探头测验过，发现在嵌入式射频发射电路板内FPGA处有较强的EMI辐射，形成底噪升高，使得该通讯设备发射信号信噪比下降，影响通讯质量。屡次整改规划方案，作用不显着。
实测进程：
已然客户现已测验过EMI，咱们首先用MDO进行验证，在0~330MHz跨度内测验该电路板EMI问题，公然发现底噪抬升显着，EMI问题非常严峻。用近场探头逐点勘探，确实在该电路板FPGA处底噪抬升最为显着，阐明该电路EMI源自此FPGA。此FPGA面积不大，很简单屏蔽，因而经过EMC认证没有问题，关键是此电路板射频射频输出信噪比差本身特性受影响。因为FPGA是此电路板的心脏，一旦定型，很难改动，假如从头规划，等所以从头再来，不行承受。调查一段时刻，咱们发现该底噪抬升是随时刻改变的，所以咱们别离存储了底噪最高时和底噪最低时的两个成果如下：
此刻为底噪较高时，达-65dBm。
此刻为底噪较低时，最高底噪起伏不超越-80dBm。
关于起伏随时刻改变的频谱，MDO的优势在于调制域剖析，为此咱们翻开MDO起伏随时刻改变曲线显现功用，用MDO射频功率触发得到如下测验成果：
从测验成果看，触发点处底噪起伏最高，在280MHz以及432MHz处达-59dBm。图中上半部分显现，突发起伏呈周期性改变，用MDO时域光标，能够测验出其周期为94uS。咱们移动代表频谱剖析时刻段的橙色条到突发起伏右侧的几条线处，得到测验成果如下：
