C-V丈量技能、技巧与圈套—— C-V丈量参数提取的局限性

在讨论C-V测验体系的装备办法之前，了解半导体C-V丈量技能[1]的局限性是很重要的：
·电容：从<10fF到1微法
·电阻：从<0.1欧姆到100M欧姆
·小电感：从<1nH到10mH
·栅介质：可以提取的等价栅氧厚度规模从不到10纳米到几百纳米。可以检测出的电介质玷污浓度从每平方厘米5e9个离子到约1e13个离子，界面阱规模从约1e10/cm2/ev到1e13/cm2电荷左右（取决于器材结构）。现代仪器和探针台的超低电容丈量功用可以丈量更厚的叠层电介质。
·MOS掺杂：可以提取MOSFET的掺杂散布状况，灵敏度规模从约1e14/cm3到1e18/cm3，掺杂深度从0.01µm到10µm。少量载流子寿数从1µs到10ms。可从C-V丈量中测得10µs的寿数时刻。
·PN和肖特基结掺杂：可在0.1µm到100µm的深度规模内测出约1e 13/cm3t到1e18/cm3的二极管载流子浓度。
·FET和BJT建模参数：除了丈量器材和资料特性之外，C-V测验还可进行直接丈量用于构建FET和BJT晶体管[2]中的参数。
重要的是要注意许多要素都会影响这些参数提取规模，例如最大电压值、器材尺度和栅氧厚度。走运的是，已有许多文献可以协助广阔研究人员和工程师判别所需的丈量规模是否与现在的C-V丈量技能所具有的功用很好的匹配。