TTL电平缓CMOS电平的差异

1.TTL电平：

输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是 0.4V。
2.CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。并且具有很宽的噪声容限。
3.电平转化电路：
因为TTL和COMS的凹凸电平的值不一样,所以相互衔接时需求电平的转化：便是用两个电阻对电平分压!
4.TTL和COMS电路比较：
（1）TTL电路是电流操控器材，而coms电路是电压操控器材。
（2）TTL电路的速度快，传输推迟时间短(5-10ns)，可是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输推迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路自身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
（3）COMS电路的确定效应：
COMS电路因为输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非堵截电源，电流一直在增大。这种效应便是确定效应。当发生确定效应时，COMS的内部电流能到达40mA以上，很简单焚毁芯片。
防护办法：
（1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超越不超越规则电压。
（2）芯片的电源输入端加去耦电路，避免VDD端呈现瞬间的高压。
（3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即便有大的电流也不让它进去。
（4）当系统由几个电源别离供电时，开关要按下列次序：敞开时，先敞开COMS电路得电源，再敞开输入和负载的电源；封闭时，先封闭输入信号和负载的电源，再封闭COMS

5.兼容性：
CMOS集成电路电源电压能够在较大规模内改变，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严厉。所以，用TTL电平在条件允许下他们就能够兼容。要注意到他们的驱动才能是不一样的，CMOS的驱动才能会大一些，有时候TTL的低电平触发不了CMOS电路，有时CMOS的高电平会损坏TTL电路，在兼容性上需注意。
注：
1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成
2.COMS的逻辑电平规模比较大（5～15V），TTL只能在5V下作业
3.CMOS的凹凸电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰才能差
4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）
5.CMOS的作业频率较TTL略低，可是高速CMOS速度与TTL差不多适当。

举例哪些是TTL？哪些是CMOS？

74系列；74S系列；74LS系列；74AS系列；74ALS系列等归于TTL类型的集成电路

CD系列；74HC系列；74HCT系列；74BCT系列等归于CMOS集成电路

LS、 HC 二者高电平低电平界说不同，HC高电平规则为0.7倍电源电压，低电平规则为0.3倍电源电压。LS规则高电平为2.0V，低电平为0.8V。 带负载特性不同。HC上拉下拉才能相同，LS上拉弱而下拉强。 输入特性不同。HC输入电阻很高，输入开路时电平不定。LS输入内部有上拉，输入开路时为高电平。

74HC是CMOS电路，CMOS电路是MOS电路中的主导产品。MOS电路以绝缘栅场效应晶体管为开关元件。所以又称单极型集成电路。按其导电沟道的类型，MOS电路可分为PMOST 、NMOS和CMOS电路。CMOS电路沿着4000A–4000B/4500B（一致称为4000B）–74HC–74HCT系列高速开展。 HCT系列还同TTL电平兼容，扩展了使用规模。