LTC 4353操控外部N沟道MOSFET来完成一个抱负的二极管功用。它代替了两个高功率肖特基二极管和其相关的散热器，节约功耗和电路板面积。抱负二极管的功用，答应低丢失电源ORing和供给停留使用的。
LTC4353调理横跨正向压降MOSFET在二极管或使用程序，以保证平稳的电流传输。快速转上削减在电源切换的负载电压下跌。假如输入电源产生毛病或短路，快速关断反向电流瞬变降到最低。
操控器作业在2.9V至18V用品。假如两个电源低于2.9V，需求外部电源VCC引脚。启用输入可用于封闭MOSFET和操控器的低电流状况。状况输出指示是否MOSFET是敞开或封闭。
特色
功率二极管的低损耗代替
操控N沟道MOSFET小号
0V至18V电源“或”或持枪掠夺
1μs的栅极导通和关断时刻
使能输入
MOSFET的导通 状况输出
16引脚MSOP和DFN封装(4毫米×3毫米)封装
使用
冗余电源
供给含率
高可用性体系和服务器
电信和网络基础设施
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