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18B20温度1602显现

晶振12mhzincludereg51h>sbitRS=P2^0;RS数据和指令sbitRW=P2^1;读和写sbitEN=P2^2;读取时能sbitbusy=P0^7;sb

//晶振12mhz
#include

sbit RS=P2^0; // RS数据和指令
sbit RW=P2^1; //读和写
sbit EN=P2^2; //读取时能
sbit busy=P0^7;
sbit DQ=P3^4;

#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
uchar temp_value;

unsigned char show1[]=”18B20″;
unsigned char show2[]=”temperature”;
unsigned char tab[]={0+0,1+0,2+0,3+0,4+0,5+0,6+0,7+0,8+0,9+0};
void delay_18B20(uint i)
{
while(i–);
}

void Init_DS18B20(void)
{
uchar x=0;
DQ = 1; //DQ复位
delay_18B20(8); //稍做延时
DQ = 0; //单片机将DQ拉低
delay_18B20(80); //准确延时 大于 480us
DQ = 1; //拉高总线
delay_18B20(14);
x=DQ; //稍做延时后 假如x=0则初始化成功 x=1则初始化失利
delay_18B20(20);
}

uchar ReadOneChar(void)
{
uchar i=0;
uchar dat = 0;
for (i=8;i>0;i–)
{
DQ = 0; // 给脉冲信号
dat>>=1;
DQ = 1; // 给脉冲信号
if(DQ)
dat|=0x80;
delay_18B20(4);
}
return(dat);
}

void WriteOneChar(uchar dat)
{
uchar i=0;

for (i=8; i>0; i–)
{
DQ = 0;
DQ = dat&0x01;
delay_18B20(5);
DQ = 1;
dat>>=1;
}
}

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