当可控硅接受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，有必要使接受反向电压的PN结J2失掉阻挠效果。图2中每个晶体管的集电极电流一起便是另一个晶体管的基极电流。因而，两个相互复合的晶体管电路，当有满足的门机电流Ig流入时，就会构成激烈的正反馈，形成两晶体管饱满导通，晶体管饱满导通。

　　设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,

　　可控硅的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：

　　Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0

　　若门极电流为Ig,则可控硅阴极电流为Ik=Ia+Ig

　　然后能够得出可控硅阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式

　　硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改动而急剧改变如图3所示。

　　当可控硅接受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式(1—1)中，Ig=0,(a1+a2)很小，故可控硅的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状况。当可控硅在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,因为满足大的Ig流经NPN管的发射结，然后进步起点流放大系数a2,发生满足大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并进步了PNP管的电流放大系数a1,发生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样激烈的正反馈进程敏捷进行。从图3，当a1和a2随发射极电流添加而(a1+a2)≈1时，式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因而进步了可控硅的阳极电流Ia.这时，流过可控硅的电流完全由主回路的电压和回路电阻决议。可控硅已处于正导游通状况。

　　式(1—1)中，在可控硅导通后，1-(a1+a2)≈0,即便此刻门极电流Ig=0,可控硅仍能坚持本来

　　的阳极电流Ia而持续导通。可控硅在导通后，门极已失掉效果。