多晶硅光电池
p-Si（多晶硅，包含微晶）光电池没有光致阑珊效应，资料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是世界上正掀起的前沿性研讨抢手。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p-Si光电池转 换功率为15.3％，经减薄衬底，加强陷光等加工，可进步到23.7％，用CVD法制备的转化功率约为 12.6-17.3％。选用廉价衬底的p-Si薄膜成长办法有PECVD和热丝法，或对a-Si：H资料膜进行后退火，到达低温固相晶化，可别离制出功率9.8％和9.2％的无退化电池。微晶硅薄膜成长与a-Si工艺相容，光电功能和安稳性很高，研讨遭到很大注重，但功率仅为7.7％。大面积低温p-Si膜与-Si组成叠层电池结构，是进步a-S光电池安稳性和转化功率的重要途径，可更充分利用太阳光谱，理论核算标明其功率可在28％以上，将使硅基薄膜光电池功能发生突破性开展。铜铟硒光电池
CIS（铜铟硒）薄膜光电池已成为世界光伏界研讨开发的抢手课题，它具有转化功率高（已到达17.7％），功能安稳，制作成本低的特色。CIS光电池一般是在玻璃或其它廉价衬底上别离堆积多层膜而构成的，厚度可做到2?3μm，吸收层CIS膜对电池功能起着决定性效果。现已开宣布反响共蒸法和硒化法（溅射、蒸腾、电堆积等）两大类多种制备办法，其它外层一般选用真空蒸腾或 溅射成膜。阻止其开展的原因是工艺重复性差，高效电池成品率低，资料组分较杂乱，缺少操控薄膜成长的分析仪器。CIS光电池正遭到产业界注重，一些闻名公司意识到它在未来动力商场中的远景和所在位置，活跃扩展开发规划，着手组成中试线及制作厂。
