本非必须介绍的对策是经过添加降噪电路或添加部件来下降噪声的三个办法。
添加缓冲电路
添加缓冲电路是下降噪声的常用办法。本文中采用在输出端添加缓冲电路，其实在输入端也可以添加。在本例中，经过在开关节点添加RC，起到将开关引发的高频振铃引到GND的作用。
可是，添加缓冲电路会发生损耗。为了添加作用而进步电容器的容值的话，电阻需求可以容许其功率。下面为缓冲电路损耗的公式和核算示例。
损耗核算示例）缓冲电阻10Ω、缓冲电容1000pF、输入电压12V、振动频率1MHz时的
电阻容许损耗
缓冲电路损耗 P ＝ C ×V2 × fsw
1000pF × 122 × 1MHz ＝ 0.144W ⇒ 电阻的额定功率需求在MCR18（3216）：0.25W以上
在自举电路刺进电阻
在高边开关运用Nch MOSFET的IC中，有BOOT引脚（不同的IC其称号或许不同）。它具有将输出电压供应自举电路（多内置于IC中），并为高边MOSFET供给满足的栅极驱动电压的功用。因为BOOT引脚衔接于开关节点，因而经过在这里刺进电阻，可减缓高边MOSFET导通时的上升速度，然后可抑制开关导通时的噪声。缺陷是开关时间变慢，使MOSFET的开关损耗会添加。
在高边MOSFET的栅极刺进电阻
这是经过在高边MOSFET的栅极驱动器和栅极间刺进电阻，来约束栅极电荷，使高边MOSFET的上升和下降陡峭（俗语也称“钝化”等），然后下降ON/OFF时噪声的办法。与在自举电路添加电阻相同，MOSFET的开关损耗会增大。可是，这种办法无法用于开关内置型IC。这是只适用于运用了开关外置型控制器IC的结构中的办法。
要害关键：
・缓冲电路可削减开关的振铃，但作用和损耗之间存在权衡（ Trade-off）联系。
・自举电路添加电阻可削减上升时的噪声，但MOSFET的开关损耗会添加。
・在栅极刺进电阻可下降上升和下降时的噪声，但MOSFET的损耗会添加。别的，如果是MOSFET内置型的IC则无法刺进电阻。
