1、芯片发热
这首要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假设芯片耗费的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的耗费，简略的核算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实践I=2cvf，其间c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了下降芯片的功耗，有必要想办法下降c、v和f.假如c、v和f不能改动，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器材，留意不要引进额定的功耗。再简略一点，便是考虑更好的散热吧。
、功率管发热
关于这个问题，也见到过有人在电源网论坛发过贴。功率管的功耗分红两部分，开关损耗和导通损耗。要留意，大多数场合特别是LED市电驱动运用，开关危害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动才能和作业频率有关，所以要处理功率管的发热能够从以下几个方面处理：A、不能片面依据导通电阻巨细来挑选MOS功率管，由于内阻越小，cgs和cgd电容越大。
如1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为1200pF左右，不同太大了，挑选功率管时，够用就能够了。B、剩余的便是频率和芯片驱动才能了，这儿只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先要想想是不是频率挑选的有点高。想办法下降频率吧！不过要留意，当频率下降时，为了得到相同的负载才能，峰值电流必定要变大或许电感也变大，这都有或许导致电感进入饱满区域。假如电感饱满电流够大，能够考虑将CCM（接连电流形式）改动成DCM（非接连电流形式），这样就需求添加一个负载电容了。
、作业频率降频
这个也是用户在调试过程中比较常见的现象，降频首要由两个方面导致。输入电压和负载电压的份额小、体系搅扰大。关于前者，留意不要将负载电压设置的太高，尽管负载电压高，功率会高点。关于后者，能够测验以下几个方面：a、将最小电流设置的再小点；b、布线洁净点，特别是sense这个要害途径；c、将电感挑选的小点或许选用闭合磁路的电感；d、加RC低通滤波吧，这个影响有点欠好，C的一致性欠好，误差有点大，不过关于照明来说应该够了。无论如何降频没有优点，只要害处，所以一定要处理。
、电感或许变压器的挑选
总算谈到重点了，我还没有入门，只能瞎说点饱满的影响了。许多用户反响，相同的驱动电路，用a出产的电感没有问题，用b出产的电感电流就变小了。遇到这种状况，要看看电感电流波形。有的工程师没有留意到这个现象，直接调理sense电阻或许作业频率到达需求的电流，这样做或许会严重影响LED的运用寿数。所以说，在规划前，合理的核算是有必要的，假如理论核算的参数和调试参数差的有点远，要考虑是否降频和变压器是否饱满。变压器饱满时，L会变小，导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升，那么LED的峰值电流也跟着添加。在均匀电流不变的前提下，只能看着光衰了。
、LED电流巨细
我们都知道LEDripple过大的话，LED寿数会受到影响，影响有多大，也没见过哪个专家说过。曾经问过LED厂这个数据，他们说30%以内都能够承受，不过后来没有通过验证。主张仍是尽量操控小点。假如散热处理的欠好的话，LED一定要降额运用。也期望有专家能给个详细目标，要不然影响LED的推行。
