=====================================================
开漏结构
所谓开漏电路概念中说到的“漏”便是指MOS FET的漏极。同理，开集电路中的“集”便是指三极管的集电极。开漏电路便是指以MOS FET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路增加上拉电阻。完好的开漏电路应该由开漏器材和开漏上拉电阻组成。如图1所示：
图1
组成开漏方法的电路有以下几个特色：
1. 使用外部电路的驱动才干，削减IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。如图1。
2. 能够将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。构成“与逻辑”联系。如图1，当PIN_A、PIN_B、PIN_C恣意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判别总线占用状况的原理。
3. 能够使用改动上拉电源的电压，改动传输电平。如图2, %&&&&&%的逻辑电平由电源Vcc1决议，而输出高电平则由Vcc2决议。这样咱们就能够用低电平逻辑操控输出高电平逻辑了。
4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。
5. 规范的开漏脚一般只要输出的才干。增加其它的判别电路，才干具有双向输入、输出的才干。
图2
使用中需注意：
1. 开漏和开集的原理相似，在许多使用中咱们使用开集电路替代开漏电路。例如，某输入Pin要求由开漏电路驱动。则咱们常见的驱动方法是使用一个三极管组成开集电路来驱动它，即便利又节约本钱。如图3。
2. 上拉电阻R pull-up的阻值决议了逻辑电平转化的沿的速度。阻值越大，速度越低功耗越小。反之亦然
=====================================================
推挽结构
一般是指两个三极管别离受两互补信号的操控,总是在一个三极管导通的时分另一个截止.要完成线与需要用OC(open collector)门电路 .假如输出级的有两个三极管，一直处于一个导通、一个截止的状况，也便是两个三级管推挽相连，这样的电路结构称为推拉式电路。
在功率扩大器电路中很多选用推挽扩大器电路，这种电路顶用两只三极管构成一级扩大器电路，两只三极管别离扩大输入信号的正半周和负半周，即用一只三极管扩大信号的正半周，用另一只三极管扩大信号的负半周，两只三极管输出的半周信号在扩大器负载上兼并后得到一个完好周期的输出信号。
推挽扩大器电路中，一只三极管作业在导通、扩大状况时，另一只三极管处于截止状况，当输入信号改变到另一个半周后，原先导通、扩大的三极管进入截止，而原先截止的三极管进入导通、扩大状况，两只三极管在不断地替换导通扩大和截止改变，所以称为推挽扩大器。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方法存在于电路中,各担任正负半周的波形扩大使命,电路作业时，两只对称的功率开关管每次只要一个导通，所以导通损耗小 效率高。
输出既能够向负载灌电流，也能够从负载抽取电流。
