晶体管的h参数
在合理设置静态作业点和输入为沟通小信号的前提下，晶体管可等效为一个线性双端口电路。如图Z0212所示。
晶体管的端口电压和电流的联系可表明为如图Z0213所示。
h 参数的界说如图Z0213。
hie、hre、hfe、hoe 这4个参数称为晶体管的等效h 参数，它们的物理含义为：
hie称为输出端沟通短路时的输入电阻，简称输入电阻。它反映输出电UCE不变时，基极电压对基极电流的控制才能，习惯上用RbE表明。
hre称为输入端沟通开路时的反向电压传输系数，又称内部电压反应系数。它反映输出电压uCE经过晶体管内部对输入回路的反应作用，它是一个无量纲的份额系数。
hfe称为输出端沟通短路时的电流扩大系数，简称电流扩大系数。它反映基极电流IB对集电极电流IC的控制才能，即晶体管的电流扩大才能，是一个无量纲的数，习惯上用β表明。
hoe称为输入端沟通开路时的输出电导，简称输出电导。它反映当IB不变时，输出电压uCE对输出电流的控制才能。单位是西门子（S），习惯上用1／RCE，表明。可见，这四个参数具有不同的最纲，故称为混合（HybRId）参数，记作h 。h参数第一个下标的含义为：I表明输入，R表明反向传输，f表明正向传输，o表明输出；第二个下标E表明共射接法。在使用时应当清晰：
（1） 4个h参数都是微变电流与微变电压之比，因而，h参数是沟通参数。
（2） 4个h参数都是在Q点的偏导数，因而，它们都和Q点密切相关，跟着Q点的改变而改变；
（3） h参数是晶体管在小信号条件下的等效参数。
h参数能够从晶体管的特性曲线上近似求得，也能够用人h参数测试仪直接测出。对一般小功率晶体管，h参数的数量级如图Z0213所示。
