6月28-29日，“功率及化合物半导体世界论坛2020”于SEMICON China 2020同期在上海浦东嘉里酒店成功举行。此次论坛要点评论的主题包含：宽频带隙功率电子学、光电子学、通讯中的复合半导体和新式功率器材技能。
SEMI我国区总裁居龙先生出席会议致辞。他表明欢迎来参与SEMICON China，这届展会举行着实不易，这是一个坚持，举行过程中排除万难曲曲折折。功率化合物半导体这个商场生长非常快速，可以预见往后几年商场将继续迸发，特别5G年代降临，还有轿车电子关于功率方面的需求，“我想这是一个严重的时机”。功率化合物半导体渠道将继续扮演衔接我国与全球的桥梁人物，“咱们的希望是‘跨界全球，心芯相连’，让我国半导体工业可以融入全球半导体工业生态圈，成为同伴一起生长。”
英诺赛科（珠海）科技有限公司董事长骆薇薇在《硅基氮化镓工业打开“芯”时机》讲演主题中指出，新基建浪潮助推智能化年代打开，不只芯片的需求量不断上升，还带动了第三代半导体氮化镓的打开与运用。硅基氮化镓具有高频、高开关速度、地单位面积导通阻抗、高功率密度的特性，完美满意新年代打开的需求，将带来一个万亿级的新商场。骆薇薇具体剖析了低压氮化镓的运用与高压氮化镓的运用，阐明氮化镓商场空间潜力巨大，一起氮化镓在功率前进、制作本钱有望更低、规模化出产方面的巨大优势，将打造一个全“芯”的未来。
美国宜普电源转化公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow带来了《氮化镓技能怎么推进车载体系的打开进程》主题讲演。氮化镓功率器材、分立晶体管和集成电路的出产现已超越10年，获益于较小的尺度和更快的转化速度，已在许多运用范畴获得严重打开。这些器材的体积比MOSFET要小好几倍，很大程度上因为尺度的优势，其出产本钱也相对较低。现在，氮化镓器材在轿车上得到了很多运用，对此，Alex Lidow在现场评论了激光雷达（光勘探和测距）和48v功率分配两个要害比方。
泰科天润半导体科技（北京）有限公司总司理陈彤探讨了《碳化硅运用计划可以做到多廉价》，首要，他解读了电气化新年代与功率半导体的打开，并将硅基与碳化硅基功率器材作比照，指出，碳化硅MOSFET相关于硅IGBT和硅MOSFET的技能功能优势，体现在运用上具有削减散热组件、削减电容电感、更高工作温度、减积减重、转化功率、牢靠安稳等优势。陈彤以为，在电力电子范畴，最大的颠覆性改造便是碳化硅Mos替代硅IGBT。“碳化硅功率器材本钱居高不下，原因有碳化硅资料、工艺和运用技能打破门槛高；碳化硅工业链过长，上下游反应闭环费时吃力；硬科技的出资和工业逻辑，国内需求时刻更新知道。”对此，需求工业上下游的合作才干发现自己的问题、处理自己的问题，一起要在商场批量的实践中露出问题、处理问题。
德国爱思强股份有限公司高档部门司理方剂文带来了《用于宽禁带半导体资料大规模出产的处理计划》主题讲演，他表明，在全球大趋势的推进下，化合物半导体在当时和未来的商场运用中获得了严重的规划成功，其间电力电子正处于从硅向SiC和GaN的严重改变边际。与此一起，SiC半导体在越来越多的轿车运用中获得认可，且GaN也现已开端渗透到消费层面的运用。方剂文以为，要成为电力电子范畴的可继续干流处理计划，不只要在器材层面满意功能、牢靠性和本钱的要求，还要在外延层面满意这些需求。在现场，方剂文陈述了电力电子宽带隙半导体资料的外延批量出产技能的最新打开，包含最新推出的AIX G5 WW C批量出产处理计划。
錼创科技首席执行官李允立作了《Road to ultimate display – production of MicroLED display 》讲演，他表明，MicroLED可以带来极致的视觉体会，一起这也是一个充溢应战的好时机。当时MicroLED的生态体系根本树立起来了，其具有低耗电、高亮度、超高分辨率、高牢靠性、快速反应等优势。李允立以为MicroLED非常适合做高亮度高透明度的运用，这为MicroLED供给了更多的时机，比方轿车方面的运用。而比较于传统显示器，MicroLED需求微缩到万分之一，一起还要下降本钱，这是批量出产需求战胜的应战。
常州纵慧芯光半导体科技有限公司总司理陈晓迟经过解读《Next Generation VCSELs》，指出近年来在移动、零售付出、智能家居和轿车商场蓬勃打开的推进下，3D传感范畴也获得了许多令人兴奋的打开。但是，新式技能的呈现一起伴跟着史无前例的要求，应战依然存在。在三维传感中，发射器是要害部件和要害应战之一，陈晓迟具体剖析了纵慧芯光VCSELs和ToF模块的功能、牢靠性和量产才能。并相应介绍了纵慧芯光技能的打开道路，特别是VCSELs在激光雷达中的运用。
成都海威华芯科技有限公司副总司理李春江环绕《化合物半导体的毫米波通讯运用》主题，提出5G通讯的中频段商用之后，可以为移动通讯带来更大带宽的毫米波通讯走到台前，特别是低轨卫星通讯的巨大打开。毫米波通讯器材的近期商场包含微波通讯与卫星通讯。远期来看，毫米波通讯器材还将运用在微波通讯、卫星通讯以及5G通讯商场。
北京北方华创微电子配备有限公司副总裁兼CVD事业部总司理董博宇带来了主题为《NAURA 的Si外延和SiC资料在功率器材范畴的处理计划》的讲演。他首要描绘了北方华创供给的用于分立器材和MEMS的硅外延和碳化硅资料的技能处理计划。此外，还介绍了北方华创在硅外延设备、碳化硅外延设备和碳化硅晶体生长体系中的技能堆集和功能优势。
英国牛津仪器我国区司理Terry Chen的《Advanced Plasma Processing Solutions for High Performance VCSELs Focussing on Cost Down Per Wafer and Critical Device Performance》讲演中，他指出人脸辨认和数据库等运用正在推进根据GaAs和InP的激光器的需求。为了保证设备在高功率的一起，操控本钱最大化产值，就需求专门的工艺处理计划。Terry Chen介绍，经过会集开发和运用超越37年的CS技能、牛津仪器等离子技能现已出产出了先进的等离子处理处理计划，可以供给优胜的设备功能和下降晶片本钱。
Qorvo FAE manager荀颖探讨了《完成5G的要害技能-GaN》。跟着技能的打开，特别是跟着5G技能的到来，进一步推进了以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体资料的快速打开。GaN在微波射频范畴具有高功率、大带宽与高功率的优势越来越遭到注目。5G将带来半导体资料革命性的改变，跟着通讯频段向高频搬迁，基站和通讯设备需求支撑高频功能的射频器材，GaN的优势将逐渐凸显。
意法半导体Filippo Di Giovanni带来了《Latest packaging developments enhance performance of Silicon Carbide power devices》主题讲演。SiC技能使轿车包含牵引逆变器DC-DC转化器和车载充电器，以及工业范畴包含太阳能、UPS、储能和PSU等的总具有本钱大幅下降，从而将这种新资料引进轿车成为可能。SiC技能的加速比商场预期要快得多，一起新的封装和模块被引进商场以优化keyEV运用（OBC,，DC-DC，牵引逆变器）。
中电国基南边有限公司教授级高工柏松探讨了《碳化硅功率MOSFET技能问题及研讨打开》，指出SiC MOSFET产品技能打开到第三代，选用新式栅氧、沟槽结构等技能。世界上SiC电力电子器材技能处于快速添加期，全面推进新动力轿车等范畴的批量运用。并介绍到，国基南边SiC G1DMOS技能开始树立，正在打开1200V产品的商场推广，前进安稳供货才能。下一步，国基南边SiC MOSFET产品技能打开规划布局，将再2025年完成高压SiC DMOSFET 6.5kV-15kV。
姑苏晶湛半导体有限公司董事长程凯论述了《用于新式器材的GaN外延技能》，现在，GaN技能现已为5G和电力电子工业做好了预备，GaN外延在进一步前进器材功能方面有很大的空间。氮化镓(nGaN)、磷化镓(pGaN)和异结构氮化镓(hetero-structures)的再生应作为器材规划的惯例办法。新式器材如多通道、p-FET和uLED可能为GaN运用拓荒新的商场，这些新运用都是根据氮化镓外延技能的立异。
江苏微导纳米股份有限公司首席技能官黎微明的讲演环绕《原子层堆积（ALD）技能自功率和化合物半导体的 运用及国产化立异的展望》打开。他指出，ALD正在成为高功能、高牢靠性电源和复合半导体器材的重要技能，在一些要害的工业范畴中，国产铝加工技能作为要害设备的作用越来越显着。未来跟着不断的立异和尽力，ALD正在成为第四次工业革命年代的通用和有出路的技能。
SPTS Technologies易义师作出《运用于碳化硅和氮化镓功率器材的PVD技能的前进》讲演，现在对高电压运转设备的需求不断添加，特别是电动轿车的添加，现已导致越来越多的选用碳化硅和GaN为根底的动力设备。虽然来自硅基功率器材的继续竞赛、高功率、抗恶劣环境和快速开关时刻使SiC MOSFETs成为电力牵引的抱负挑选。易义师评论了怎么运用物理气相堆积（PVD）来堆积厚的正面金属和薄的多层反面金属。并具体介绍SPTS Sigma?PVD技能怎么战胜各种应战，包含在厚金属堆积过程中消除晶须，防止有机物污染，自动面维护和反面层的应力操控。
安森美半导体王利民陈述了《安森美半导体碳化硅（SiC）计划运用于太阳能逆变器电源及电动轿车充电桩等》。首要，王利民解读了安森美半导体的宽禁带（WBG）生态体系，以及要点商场与驱动力。近年来5G通讯、电动轿车和太阳能新动力等商场逐年添加带来碳化硅（SiC）产品需求的敏捷添加。SiC产品以比传统硅基半导体革命性的功能打破完成了超高功率和超高功率密度的电源功率转化。王利民介绍了商场的SiC典型运用趋势以及公司的全系列SiC产品计划和服务。
纳微半导体副总裁、我国区总司理查莹杰在其《纳微高集成氮化镓功率芯片推进快充技能和商场的改造》的讲演陈述中对氮化镓技能作了精彩归纳，并共享了纳微在氮化镓范畴的探究及作用。查莹杰表明，充电速度是满意手机完成大屏和大功率要求的最大痛点，而快充技能的要害因素在于运用的器材能否到达高功率密度、高能效、以及高开关速率等作用，具有禁带宽度大、导热率高级多项优势的氮化镓恰恰满意了它的要求。氮化镓有两个特性，一个是在消费类范畴帮客户去挣钱，让产品多元化、更有竞赛力、产品更时髦等；另一个在工业、轿车服务器范畴帮客户去省钱，可以完成功率前进。
运用资料公司半导体产品事业部技能总监何文彬以长途会议的方法参与了本次论坛并宣布《功率技能的高产能制作》讲演陈述，共享运用资料公司在功率器材方面的定位、服务及产品。何文彬表明，动力、轿车、工业、高功率体系等工业继续发力，未来五年内的商场份额将会添加10%。功率器材的首要技能包含SiC和GaN-Si，新的资料需求运用新的产品和技能来支撑它们的制程，运用资料服务于半导体工业已超越50年之久，所供给的产品非常广泛，包含最磊晶、掺杂、离子注入、干刻设备等，公司正在继续尽力带来下一代6吋/8吋的碳化硅/氮化镓处理计划。
北京天科合达半导体股份有限公司副总司理、技能总监刘春俊带来《宽禁带半导体碳化硅衬底研讨和工业打开》讲演，从碳化硅衬底资料方面剖析碳化硅工业打开态势及天科合达的最新研讨作用。碳化硅资料的首要运用范畴包含功率器材和射频器材，近期电动轿车的打开进一步推进其添加进入快速添加期。近几年全球对碳化硅工业的出资热度大，我国的工业链已根本挨近老练，但碳化硅衬底资料的首要产出仍是在美国，产值超越80%，我国还有较大前进空间，整个工业仍是处在供求不平衡的状况，能供给6英寸产品的企业也较少。刘春俊表明，跟着技能水平的前进，碳化硅器材的价格在逐渐下降，质量也在逐渐前进。在功能前进的根底上，碳化硅商场份额及竞赛力将获得继续前进。
Power Integrations公司徐晔带来了《智能集成最大化地前进了氮化镓开关功能-谈谈驱动氮化镓面对的应战》讲演陈述，要点介绍了高容量氮化镓开关的优势和面对的应战。徐晔以为，比较传统的硅开关，高压氮化镓开关具有的优势众所周知，氮化镓的呈现可以更好地支撑终端运用到达更小尺度、更高功率及更轻分量的需求，而集成技能是氮化镓功率半导体成功的要害。
电动轿车的迅猛打开依赖于内部的电路电子体系快速前进，一起也对器材的本钱、功率集成密度、牢靠性等提出了新的要求。ABB我国技能支撑专家王浩在会上作了《用于新动力轿车和牵引运用的大功率SiC功率模块开发》讲演陈述，共享了立异碳化硅功率模块在电动轿车范畴的高效益运用。王浩表明，交通电气化的打开趋势对功率器材提出了新的应战，大规模运用碳化硅功率模块成为趋势。
来自比利时微电子研讨中心IMEC的Denis Marcon经过视频连线的方法共享了8英寸GaN功率器材及IC技能：晶圆供货商、代工厂、IDM厂商的新时机，并展现了IMEC在功率器材上的最新研讨结果。据Denis Marcon介绍，IMEC公司的200mm/8英寸的GaN-on-Si e-mode/常关形式技能现已安排妥当，IMEC现已开发了掩盖100V-650V的GaN-on-Si运用，并处理了氮化镓功率晶体管的e-mode/正常封闭方面的技能难题，IMEC正致力于制作全体集成200v和650v的氮化镓IC。
宽禁带半导体及新式功率器材工业的快速打开依赖于设备、资料、先进工艺等的强有力支撑，越来越多的新技能、新产品将会在智能制作、消费电子、节能社会等范畴得到运用，宽禁带半导体及新式功率器材在未来社会经济打开中将扮演无足轻重的人物，敞开新年代快速打开新篇章。
