晶体硅太阳能电池的制作工艺流程
晶体硅太阳能电池的制作工艺流程如图2。进步太阳能电池的转化功率和降低成本是太阳能电池技术发展的干流。
1、 详细的制作工艺技术阐明如下：
（1） 切片：选用多线切开，将硅棒切开成正方形的硅片。
（2） 清洗：用惯例的硅片清洗办法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片外表切开损害层除掉30－50um。
（3） 制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片外表制备绒面。
（4） 磷分散：选用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行分散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。
（5） 周边刻蚀：分散时在硅片周边外表构成的分散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边分散层。
（6） 去除反面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除掉反面PN＋结。
（7） 制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是很多选用的工艺办法。
（8） 制作减反射膜：为了削减入反射丢失，要在硅片外表上掩盖一层减反射膜。制作减反射膜的资料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TIO2 ，Ta2O5等。工艺办法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。
（9） 烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。
（10）测验分档：按规则参数标准，测验分类。
由此可见，太阳能电池芯片的制作选用的工艺办法与半导体器材根本相同，出产的工艺设备也根本相同，但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制作要求，这为太阳能电池的规划出产供给了有利条件。
