现如今依托可控硅驱动现已变得较为遍及。但随着可控硅驱动运用的频频，一些在运用傍边的问题也逐步露出出来，比如在一些可控硅驱动电路中加上芯片之后，芯片就会无端焚毁。本文就将从实例动身，介绍一种可控硅驱动电源芯片焚毁的状况并进行剖析。
图1
电路如图1所示，板子焊好后单片机先输出脉冲测验硬件回路，但驱动回路一上电，ULN2003便会焚毁，运用ULN2003的规划许多，但为什么这个规划的却会焚毁呢?莫非在软件上要做处理?仍是电路有问题?
上电时脉冲封闭，所以不会烧，但只需翻开脉冲就会焚毁，对脉冲变压器的原边电阻进行丈量，数值只要7-8欧，经过核算之后电流必定超过了ULN2003的500mA，经过把脉冲变窄，但仍是烧芯片。是否需要在原边串联一个限流电阻呢?
下面临以上的比如进行剖析。首要负载现已过重，串电阻限流。假如变压器自身的额外作业电压便是24V，那么应选用分立的功率晶体管驱动。变压器的额外作业电压便是24V，在串电阻限流后，脉冲没那有输入那么宽，只能选用分立的功率晶体管驱动。
在24V供电的状况下，ULN2003的负载是3:1的触发变压器，由于可控硅触发电压是7V。此电路的要害之处是2003输出低电平时刻是几十微秒(详细数值参看可控硅触发变压器说明书)量级的，假如到了微秒一级，触发变压器饱和电流快速增大，2003焚毁是有必要的，不存在幸存的任何或许。
