电阻
电阻在电路顶用“R”加数字表明，如：R1表明编号为1的电阻。电阻在电路中的首要效果为分流、限流、分压、偏置等。
1、参数辨认：电阻的单位为欧姆(Ω)，倍率单位有：千欧(KΩ)，兆欧(MΩ)等。换算办法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标示办法有3种，即直标法、色标法和数标法。
a、数标法首要用于贴片等小体积的电路，如：472 表明 47×100Ω(即4.7K); 104则表明100K
b、色环标示法运用最多，现举例如下：四色环电阻 五色环电阻(精细电阻)
2、电阻的色标方位和倍率联系如下表所示：
色彩 有用数字 倍率 答应差错(%)
银色 / x0.01 ±10
金色 / x0.1 ±5
黑色 0 +0 /
棕色 1 x10 ±1
赤色 2 x100 ±2
橙色 3 x1000 /
黄色 4 x10000 /
绿色 5 x100000 ±0.5
蓝色 6 x1000000 ±0.2
紫色 7 x10000000 ±0.1
灰色 8 x100000000 /
白色 9 x1000000000 /
1、 电容在电路中一般用“C”加数字表明(如C13表明编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠，中心用绝缘资料离隔而组成的元件。电容的特性 首要是隔直流转沟通。电容容量的巨细便是表明能储存电能的巨细，电容对沟通信号的阻止效果称为容抗，它与沟通信号的频率和电容量有关。容抗XC= 1/2πf c (f表明沟通信号的频率，C表明电容容量) 电话机中常用电容的品种有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
2、 辨认办法：电容的辨认办法与电阻的辨认办法根本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的根本单位用法拉(F)表明，其它单位还有：毫法 (mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其间：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法.容量大的电容其容量值在电容上 直 接标明，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表明或数字表明字母表明法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表明法：一般用三位数字表明容量巨细，前两位表明有用数字，第三位数字是倍率。如：102表明10×102PF=1000PF 224表明22×104PF=0.22 uF
3、电容容量差错
如：一瓷片电容为104J表明容量为0. 1 uF、差错为±5%。
晶体二极管
晶体二极管在电路中常用“D”加数字表明，如： D5表明编号为5的二极管。
1、 效果：二极管的首要特性是单导游电性，也便是在正向电压的效果下，导通电阻很小;而在反向电压效果下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无 绳电话机中常把它用在整流、阻隔、稳压、极性维护、编码操控、调频调制和静噪等电路中。电话机里运用的晶体二极管按效果可分为：整流二极管(如 1N4004)、阻隔二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。
2、辨认办法：二极管的辨认很简略， 小功率二极管的N极(负极)，在二极管外表大多选用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表明P极 (正极)或N极(负极)，也有选用符号标志为“P”、“N”来确认二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来辨认，长脚为正，短脚为负。
3、测验注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此刻测得的阻值才是二极管的正导游通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
稳压二极管
稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表明，如：ZD5表明编号为5的稳压管。
1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特色便是击穿后，其两头的电压根本坚持不变。这样，当把稳压管接入电路今后，若因为电源电压产生动摇，或其它原因构成电路中各点电压改动时，负载两头的电压将根本坚持不变。
2、毛病特色：稳压二极管的毛病首要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种毛病中，前一种毛病表现出电源电压升高;后2种毛病表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
常用稳压二极管的类型及稳压值如下表：
类型 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761
稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V
电感
电感在电路中常用“L”加数字表明，如：L6表明编号为6的 电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕必定的圈数制成。直流可经过线圈，直流电阻便是导线自身的电阻，压降很小;当沟通信号经过线圈时，线圈两头 将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻止沟通的经过，所以电感的特性是通直流阻沟通，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与 电容组成振动电路。
电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻相似。如：棕、黑、金、金表明1uH(差错5%)的电感。
电感的根本单位为：亨(H) 换算单位有：1H=103mH=106uH。
变容二极管
变容二极管是依据一般二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的改动而改动这一
原理专门规划出来的一种特别二极管。
变容二极管在无绳电话机中首要用在手机或座机的高频调制电路上，完成低频信号调制到高
频信号上，并发射出去。在作业状况，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管
的内部结电容容量随调制电压的改动而改动。
变容二极管产生毛病，首要表现为漏电或功能变差：
(1)产生漏电现象时，高频调制电路将不作业或调制功能变差。
(2)变容功能变差时，高频调制电路的作业不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对
方接纳后产生失真。
呈现上述情况之一时，就应该替换同类型的变容二极管。
晶体三极管
晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表明，如：Q17表明编号为17的三极管。
1、 特色：晶体三极管(简称三极管)是内部含有2个PN结，而且具有扩大才干的特别器材。它分NPN型和PNP型两品种型，这两品种型的三极管从工 作特性上可相互补偿，所谓OTL电路中的对管便是由PNP型和NPN型配对运用。电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9012、9015等类型; NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013等类型。
2、晶体三极管首要用于扩大电路中起扩大效果，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特色列于下表，供我们参阅。
场效应晶体管扩大器
1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等长处，因而也被广泛运用于各种电子设备中。特别用场效管做整个电子设备的输入级，可以取得一般晶体管很难到达的功能。
2、场效应管分红结型和绝缘栅型两大类，其操控原理都是相同的。如图1-1-1是两种类型的表明符号：
3、场效应管与晶体管的比较：
(1)场效应管是电压操控元件，而晶体管是电流操控元件。在只答应从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又答应从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
(2)场效应管是运用大都载流子导电，所以称之为单极型器材，而晶体管是即有大都载流子，也运用少量载流子导电。被称之为双极型器材。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以交换运用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下作业，而且它的制造工艺可以很方便地把许多场效应管集成在一块硅片上，因而场效应管在大规模%&&&&&%中得到了广泛的运用。
最常用的电子元件类型
整流二极管：
1N4001~1N4007 50V~1000~/1。0A 1N5391~1N5399 50V~1000V/1。5A 1N5400~1N5408 50V~1000V/3。0A
开关二极管：
1N4148 1N4150 1N4448
肖特基二极管：
1N5817~1N5819 20V~40V/1。0A 1N5820~1N5822 20V~40V/3。0A 1N60 1N60P小电流低压降
光电耦合器：
4N35 4N36 4N37
晶体三极管：
PNP：8550 9012 9015 A92
NPN：8050 9013 9014 9018
D/A转化器：
AD7520 AD7521 AF7530 AD7521
8位：DAC0830 DAC0832 (D/A )12位：AD7541 (D/A)
8位：ADC0802 ADC0803 ADC0804 ADC0831 ADC0832 ADC0834 ADC0838(A/D)
跨导运算变压器：
CA3080 CA3080A OTA
BiMOS运算变压器：
CA3140 CA3140A
DB3 双向触发二极管
快康复二极管：
FR101~FR107 50V~1000/1。0A
三位半A/D转化器：
ICL7106 ICL7107 ICL7116 ICL7117
载波稳零运算扩大器：
ICL7650
CMOS电源电压变换器：
ICL7660/MAX1044
单片函数产生器：
ICL8038
通用计数器：
ICM7216 ICM7216B ICM7216D 10MHz
带BCD输出10MZ通用计数器：
单/双通用守时器：
DTMF 收发器：
ISO2-CMOS MT8880C
JFET输入运算扩大器：
LF351
FJET输入宽带高速双运算扩大器：
LF353
三端可调电源：
LM117 LM317A LM317
低功耗四运算扩大器：
LM124 LM124 LM324 LM2920
三端可调负电压调整器：
LM137 LM337
低功耗四电压比较器：
LM139 LM239 LM339 LM2901 LM3302
可关断开关电源：
LM1575-3.3、 LM2575-3.3、LM2575HV-3.3、LM1575- 5.0、LM2575-5.0、LM2575HV-5.0、LM1575-12、LM2575-12、 LM2575HV-12、LM1575-15, LM2575-15、LM2575HV-15、LM1575- ADJ、LM2575-ADJ LM2576-3.3、LM2576HV-3.3、LM2576-5.0、LM2576HV- 5.0、LM2576-12、LM2576HV-12、LM2576-15、LM2576HV-15、 LM2576-ADJ
低功耗双运算扩大器：
LM158 LM258 LM358 LM2904
低功耗双电压比较器：
LM193 LM293 LM393 LM2903
通用运算扩大器：
LM201 LM301 LM741
精细电压 频率转化器：
LM231A LM231 LM331A LM331
微功耗基准电压二极管：
LM285 LM358
精细运算扩大器：
LM308A
低压音频小功率扩大器：
LM386
带温度稳定器精细电压基准电路：
LM299 LM399 LM3999
可调电压基准电路：
LM431
锁相环音频译码器：
LM657 LM657C
双低噪声音频功率扩大器：
LM831 LM833
双守时LED电子钟电路：
LM8365
单片函数产生器;
MAX038 0。1~20MZ
5V电源多通道RS232驱动器/接纳器：
MAX232
七路达林顿驱动器：
MC1413 MC1416
编码器/译码器：
MC145026 MC145027 MC145028
MC145023-5/8 RS232驱动器：
MC145403 MC145404 MC145405 MC145408
RS232驱动器/接纳器：
MC145406 MC145407
四施密特可控线路驱动器：
MC1489 MC1489A SN55189 SN55189A SN75189 SN75189A
低功率调频发射体系：
MC2833
低功率调频窄频带接纳器：
MC3362
双运算扩大器：
MC4558
MC7800系列 1。0A三规矩电压稳压器：
MC7805(5.0V)、 LM340-5(5.0V)、MC7806(6.0V)、MC7808 (8.0V)、MC7809(9.0V)、MC7812(12V)、LM340-12(12V)、 MC7815(15V)、LM340-15(15V)、MC7818(18V)、MC7824 (24V)
MC78L00系列 0。5A三规矩电压稳压器：
MC78M05(5.0V)、MC78M06(6.0V)、MC78M08(8.0V)、MC78M09 (9.0V)、MC78M12(12V)、MC78M15(15V)、MC78M18(18V)、 MC78M20(20V)、MC78M24(24V)
MC78T00系列 3。0A正电压稳压器：
MC78T05(5.0V)、MC78T08(8.0V)、MC78T12(12V)、MC78T15 (15V)
MC7900系列 1。0三端负电压稳压器：
MC7905(5.0V)、MC7905.2(5.2V)、MC7906(6.0V)、MC7908 (8.0V)、MC7912(12V)、MC7915(15V)、MC7918(18V)、 MC7924(24V)
MC79L00系列 0。1A 三端负电压稳压器：
MC79L05(5.0V)、MC79L12(12V)、MC79L15(15V)、MC79L18 (18V)、MC79L24(24V)
MC79M00系列 0。5A 三端负电压稳压器：
MC79M05(5.0V)、MC79M08(8.0V)、MC79M12(12V)、MC79M15 (15V)
Microchip P%&&&&&% 系列单片机RS232通讯运用：
3。579545MHZ–60HZ 17级分频振动器：
MM5369
双向可控硅输出光电耦合器：
MOC3009 MOC3012 (250V) MOC3020 MOC3023 (400V)
DTMF双音频接纳器：
MT8870C MT8870C-1
DTMF 收发器：
MT8888C
单时基电路：
NE555 NE555Y SA555 SE555
双时基电路：
NE556 SA556 SE556
音频紧缩扩展器：
NE570 NE571 SA571
低电压飘移运算扩大器：
OP07 OP77
低噪音精细运算扩大器：
OP27
低噪音高精细运算扩大器：
OP37
精细低电压微功耗运算扩大器：
OP90
高效光电耦合器：
PC817 PC827 PC837 PC847
无线遥控发射编码器芯片：
PT2262
无线遥控接纳解码器芯片：
PT2272
脉宽市制PWM：
SG2524 SG3524
电力线调制解诘器电路：
ST7537
音频功率扩大器：
TDA1521/TDA1521Q 2×12W Hi-Fi
TDA2030 14W Hi-fi
TDA2616/TDA2616Q 2×12W Hi-Fi
FM 单片调频接纳电路：
TDA7000T TDA7010T
FM MTS 单片调节器频接纳电路：
TDA7021T
低电压锁相环立体解码器：
TDA7040T
低电压单/双声道功率扩大器：
TDA7050
低功耗JFET输入运算扩大器：
TL062 TL064
低噪声JFET输入运算扩大器：
TL071 TL072 TL074
JFET输入宽带高速运算扩大器：
TL081 TL082 TL084
脉宽调制PWM：
TL494
精细开关形式脉宽调制操控：
TL594
光电耦合器：
TLP521-1/TLP521-2/TLP521-4
PWM Switch：
TOP100/TOP101/TOP102/TOP103/TOP104 TOP200/TOP201/TOP202/TOP203/TOP204/TOP214 TOP209/TOP210
线性八外围驱动器阵列：
ULN2803 ULN2804
(八 路NPN达林顿衔接晶体管阵系列特别适用于低逻辑电平数字电路(比如TTL, CMOS或PMOS/NMOS)和较高的电流/电压要求之间的接口，广泛运用于计算机，工业用和消费类产品中的灯、继电器、打印锤或其它相似负载中。一切 器材具有集电极开路输出和续流箝位二极管，用于按捺跃变。ULN2803的规划与规范TTL系列兼容，而ULN2804 最适于6至15伏高电平CMOS或PMOS。
二级管的分类及特性
一、依据结构分类
半导体二极管首要是依托PN结而作业的。与PN结不可分割的点触摸型和肖特基型，也被列入一般的二极管的规模内。包含这两种类型在内，依据PN结结构面的特色，把晶体二极管分类如下：
1、点触摸型二极管
点触摸型二极管是在锗或硅资料的单晶片上压触一根金属针后，再经过电流法而构成的。因而，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。可是，与面结型比较 较，点触摸型二极管正向特性和反向特性都差，因而，不能运用于大电流和整流。因为结构简略，所以价格便宜。关于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一 般用处而言，它是运用规模较广的类型。
2、键型二极管
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而构成的。其特性介于点触摸型二 极管和合金型二极管之间。与点触摸型比较较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有添加，但正向特性特别优秀。多作开关用，有时也被运用于检波和电源整流(不 大于50mA)。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管
在N型锗或硅的单晶片上，经过合金铟、铝等金属的办法制造PN结而构成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4、分散型二极管
在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片外表的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，运用大电流整流器的干流已由硅合金型搬运到硅分散型。
5、台面型二极管
PN结的制造办法虽然与分散型相同，可是，只保存PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩下的部分便呈现出台面形，因而得名。初期出产 的台面型，是对半导体资料运用分散法而制成的。因而，又把这种台面型称为分散台面型。关于这一类型来说，好像大电流整流用的产品类型很少，而小电流开关用 的产品类型却许多。
6、平面型二极管
在半导体单晶片(首要地是N型硅单晶片)上，分散P型杂质，运用硅片外表氧化膜的屏蔽效果，在N 型硅单晶片上仅挑选性地分散一部分而构成的PN结。因而，不需求为调整PN结面积的药品腐蚀效果。因为半导体外表被制造得平坦，故而得名。而且，PN结合 的外表，因被氧化膜掩盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。开始，关于被运用的半导体资料是选用外延法构成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型 二极管而言，好像运用于大电流整流用的类型很少，而作小电流开关用的类型则许多。
7、合金分散型二极管
它是合金型的一种。合金资料是简单被分散的资料。把难以制造的资料经过奇妙地掺配杂质，就能与合金一同过分散，以便在现已构成的PN结中取得杂质的恰当的浓度散布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
8、外延型二极管
用外延面长的进程制造PN结而构成的二极管。制造时需求十分高明的技能。因能随意地操控杂质的不同浓度的散布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
9、肖特基二极管
根本原理是：在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的触摸面上，用已构成的肖特基来阻挠反向电压。肖特基与PN结的整流效果原理有根本性的差异。其耐压 程度只要40V左右。其专长是：开关速度十分快：反向康复时刻trr特别地短。因而，能制造开关二极和低压大电流整流二极管。
二、依据用处分类
1、检波用二极管
就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的巨细(100mA)作为界限一般把输出电流小于100mA的叫检波。锗资料点触摸型、作业频 率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波功率高，频率特性好，为2AP型。相似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还可以用于限幅、削波、 调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
2、整流用二极管
就原理而言，从输入沟通中得到输出 的直流是整流。以整流电流的巨细(100mA)作为界限一般把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，作业频率小于KHz，最高反向电压从25伏至 3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆作业频率近100KHz的2CLG 型。
3、限幅用二极管
大大都二极管能作为限幅运用。也有象维护外表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的约束尖利振幅的效果，一般运用硅资料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据约束电压需求，把若干个必要的整流二极管串联起来构成一个全体。
4、调制用二极管
一般指的是环形调制专用的二极管。便是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即便其它变容二极管也有调制用处，但它们一般是直接作为调频用。
5、混频用二极管
运用二极管混频方法时，在500～10,000Hz的频率规模内，多选用肖特基型和点触摸型二极管。
6、扩大用二极管
用二极管扩大，大致有依托地道二极管和体效应二极管那样的负阻性器材的扩大，以及用变容二极管的参量扩大。因而，扩大用二极管一般是指地道二极管、体效应二极管和变容二极管。
7、开关用二极管
有在小电流下(10mA程度)运用的逻辑运算和在数百毫安下运用的磁芯鼓励用开关二极管。小电流的开关二极管一般有点触摸型和键型等二极管，也有在高温 下还或许作业的硅分散型、台面型平和面型二极管。开关二极管的专长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时刻特短，因而是抱负的开关二极管。2AK型点接 触为中速开关电路用;2CK型平面触摸为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关，正向压降小，速度快、功率 高。
8、变容二极管
用于自动频率操控(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。经过施加反向电压， 使其PN结的静电容量产生改动。因而，被运用于自动频率操控、扫描振动、调频和调谐等用处。一般，虽然是选用硅的分散型二极管，可是也可选用合金分散型、 外延结合型、两层分散型等特别制造的二极管，因为这些二极管关于电压而言，其静电容量的改动率特别大。结电容随反向电压VR改动，替代可变%&&&&&%，用作调谐 回路、振动电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转化和调谐电路，多以硅资料制造。
9、频率倍增用二极管
对二极管的频率倍增效果 而言，有依托变容二极管的频率倍增和依托阶跃(即剧变)二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率操控用的变容 二极管的作业原理相同，但电抗器的结构却能接受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃康复二极管，从导通切换到封闭时的反向康复时刻trr短，因而，其专长是急 速地变成封闭的搬运时刻显著地短。假如对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt(搬运时刻)短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生许多高频谐波。
10、稳压二极管
是替代稳压电子二极管的产品。被制造成为硅的分散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤改动的二极管。作为操控电压和规范电压运用而制造的。二极管作业时 的端电压(又称齐纳电压)从3V左右到150V，按每隔10%，能划分红许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。作业在反向击穿状 态，硅资料制造，动态电阻RZ很小，一般为2CW型;将两个互补二极管反向串接以削减温度系数则为2DW型。
11、PIN型二极管(PIN Diode)
这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)结构的晶体二极管。PIN中的I是"本征"含义的英文略语。当其作业频率超越 100MHz时，因为少量载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时刻效应，其二极管失掉整流效果而变成阻抗元件，而且，其阻抗值随偏置电压而改动。在零偏 置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高;在直流正向偏置时，因为载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状况。因而，可以把PIN二极管作 为可变阻抗元件运用。它常被运用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中。
12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode)
它是在外加电压效果下可以产生高频振动的晶体管。产生高频振动的作业原理是栾的：运用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需求必定的时刻，所以 其电流滞后于电压，呈现延迟时刻，若适当地操控渡越时刻，那么，在电流和电压联系上就会呈现负阻效应，然后产生高频振动。它常被运用于微波范畴的振动电路 中。
13、江崎二极管 (Tunnel Diode)
它是以地道效应电流为首要电流重量的晶体二极管。其基底资料是砷化镓和锗。其P 型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。地道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。产生地道效应具有如下三个条件：①费米能级坐落导带和满带 内;②空间电荷层宽度有必要很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的或许性。江崎二极管为双端子有源器材。 其首要参数有峰谷电流比(IP/PV)，其间，下标"P"代表"峰";而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被运用于低噪声高频扩大器及高频振动器中 (其作业频率可达毫米波段)，也可以被运用于高速开关电路中。
14、快速关断(阶跃康复)二极管 (Step Recovary Diode)
它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特色是：在PN结鸿沟处具有峻峭的杂质散布区，然后构成"自助电场"。因为PN结在正向偏压下，以少量载流子 导电，并在PN结邻近具有电荷存贮效应，使其反向电流需求阅历一个"存贮时刻"后才干降至最小值(反向饱和电流值)。阶跃康复二极管的"自助电场"缩短了 存贮时刻，使反向电流快速截止，并产生丰厚的谐波重量。运用这些谐波重量可规划出梳状频谱产生电路。快速关断(阶跃康复)二极管用于脉冲和高次谐波电路 中。
15、肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode)
它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向 开始电压较低。其金属层除资料外，还可以选用金、钼、镍、钛等资料。其半导体资料选用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器材是由大都载流子导电的，所以， 其反向饱和电流较以少量载流子导电的PN结大得多。因为肖特基二极管中少量载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时刻常数约束，因而，它是高频和快 速开关的抱负器材。其作业频率可达100GHz。而且，MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制造太阳能电池或发光二极管。
16、阻尼二极管
具有较高的反向作业电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。
17、瞬变电压按捺二极管
TVP管，对电路进行快速过压维护，分双极型和单极型两种，按峰值功率(500W-5000W)和电压(8.2V～200V)分类。
18、双基极二极管(单结晶体管)
两个基极，一个发射极的三端负阻器材，用于张驰振动电路，守时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等长处。
19、发光二极管
用磷化镓、磷砷化镓资料制成，体积小，正向驱动发光。作业电压低，作业电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。
三、依据特性分类
点触摸型二极管，按正向和反向特性分类如下。
1、一般用点触摸型二极管
这种二极管正如标题所说的那样，一般被运用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中心产品。如：SD34、SD46、1N34A等等归于这一类。
2、高反向耐压点触摸型二极管
是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。运用于高压电路的检波和整流。这种类型的二极管一般正向特性不太好或一般。在点触摸型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗资料二极管，其耐压受到约束。要求更高时有硅合金和分散型。
3、高反向电阻点触摸型二极管
正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因而其专长是反向电阻高。运用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗资料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等归于这类二极管。
4、高传导点触摸型二极管
它与高反向电阻型相反。其反向特性虽然很差，但使正向电阻变得满足小。对高传导点触摸型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，可以得到更优秀的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流功率较高。
