什么是位段、位带别号区？
2. 它有什么优点？
答1： 是这样的，记住MCS51吗？ MCS51便是有位操作，以一位（BIT）为数据目标的操作，
MCS51能够简略的将P1口的第2位独立操作： P1.2=0;P1.2=1 ; 便是这样把P1口的第三个脚（BIT2）置0置。
而现在STM32的位段、位带别号区就为了完成这样的功用。
目标能够是SRAM,I/O外设空间。完成对这些当地的某一位的操作。
它是这样的。在寻址空间（32位地址是 4GB ）另一当地，取个别号区空间，从这地址开端处，每一个字（32BIT）
就对应SRAM或I/O的一位。
这样呢，1MB SRAM就 能够有32MB的对应别号区空间，便是1位胀大到32位（1BIT 变为1个字）
咱们对这个别号区空间开端的某一字操作，置0或置1，就等于它映射的SRAM或I/O相应的某地址的某一位的操作。
答2： 简略来说，能够把代码缩小， 速度更快，功率更高，更安全。
一般操作要6条指令，而运用 位带别号区只需4条指令。
一般操作是 读－改－写 的方法， 而位带别号区是 写 操作。避免中止对读－改－写 的方法的影响。
// STM32支撑了位带操作（bit_band）,有两个区中完成了位带。其间一个是SRAM 区的最低1MB 规模，第二个则是片内外设
// 区的最低1MB 规模。这两个区中的地址除了能够像一般的RAM 相同运用外，它们还都有自己的“位带别号区”，位带别号区
// 把每个比特胀大成一个32 位的字。
//
// 每个比特胀大成一个32 位的字,便是把 1M 扩展为 32M ,
//
// 所以；RAM地址 0X200000000（一个字节）扩展到8个32 位的字,它们是：（STM32中的SRAM依然是8位的，所以RAM中任一地址对应一个字节内容）
// 0X220000000 ,0X220000004，0X220000008，0X22000000C,0X220000010,0X220000014, 0X220000018,0X22000001C
// 支撑位带操作的两个内存区的规模是：
// 0x2000_0000‐0x200F_FFFF（SRAM 区中的最低1MB）
// 0x4000_0000‐0x400F_FFFF（片上外设区中的最低1MB）
/*
对SRAM 位带区的某个比特，记它地点字节地址为A,位序号
在别号区的地址为：
AliasAddr＝ 0x22000000 +((A‐0x20000000)*8+n)*4 =0x22000000+ (A‐0x20000000)*32 + n*4
关于片上外设位带区的某个比特，记它地点字节的地址为A,位序号为n(0<=n<=7)，则该比特
在别号区的地址为：
AliasAddr＝ 0x42000000+((A‐0x40000000)*8+n)*4 =0x42000000+ (A‐0x40000000)*32 + n*4
上式中，“*4”一共一个字为4 个字节，“*8”一共一个字节中有8 个比特。
// 把“位带地址＋位序号”转化别号地址宏
#define BITBAND(addr, bitnum) ((addr & 0xF0000000)+0x2000000+((addr &0xFFFFF)<<5)+(bitnum<<2))
//把该地址转化成一个指针
#define MEM_ADDR(addr) *((volatile unsigned long *)(addr))
// MEM_ADDR(BITBAND( (u32)&CRCValue,1)) = 0x1;
例如点亮LED
// 运用STM32库
GPIO_ResetBits(GPIOC, GPIO_Pin_4); //关LED5
GPIO_SetBits(GPIOC, GPIO_Pin_7); //开LED2
// 一般读操作
STM32_Gpioc_Regs->bsrr.bit.BR4 =1;// 1：铲除对应的ODRy位为0
STM32_Gpioc_Regs->bsrr.bit.BS7 =1;// 1：设置对应的ODRy位为1
//假如运用 位带别号区操作
STM32_BB_Gpioc_Regs->BSRR.BR[4] =1;// 1：铲除对应的ODRy位为0
STM32_BB_Gpioc_Regs->BSRR.BS[7] =1;// 1：设置对应的ODRy位为1
代码比STM32库 高效 十倍 ！
对内存变量的位操作。
1. // SRAM 变量
2.
3. long CRCValue;
4.
5. // 把“位带地址＋位序号”转化别号地址宏
6. #define BITBAND(addr, bitnum) ((addr & 0xF0000000)+0x2000000+((addr &0xFFFFF)<<5)+(bitnum<<2))
7. //把该地址转化成一个指针
8. #define MEM_ADDR(addr) *((volatile unsigned long *)(addr))
9.
10. // 对32位变量 的BIT1 置 1 ：
11.
12. MEM_ADDR(BITBAND( (u32)&CRCValue,1)) = 0x1;
13.
14. //对恣意一位( 第23位 ) 判别：
15.
16. if(MEM_ADDR(BITBAND( (u32)&CRCValue,23))==1)
17. {
18.
19. }
bit_band，直译为位带，也翻译成别号存储区。
映射公式：
bit_word_addr = bit_band_base + (byte_offset x 32) + (bit_number × 4) （式1）
其间：
bit_word_addr——bit_band中字的地址，它映射到某个寄存器位。
bit_band_base——bit_band的基准地址。
byte_offset ——寄存器的偏移数值
bit_number ——寄存器位地点位置(0-31)
下面的例1阐明，如何将SRAM 地址为0x20000300的字节中的位2映射到别号区中：
0x22006008 = 0x22000000 + (0x300*32) + (2*4).
对0x22006008地址的写操作等同于对SRAM 中地址0x20000300字节的位2 碑文读- 改- 写操作。
这个公式照着套用，也没问题。
我比较钻牛角尖，总想弄理解，为什么式1中要乘以32，要乘以4。
记住这个条件：
（1）STM32对bit-band的拜访，是以32位的方法来拜访，即一次读写32位（Bit），4个字节（STM32是32位的CPU，一次读32位长，速度快，存储空间比51大的多）。
（2）寄存器中的1个位，是运用bit-band中1个双字（32位）来表达的。
先看一个图。
0x20000000的0~7对应0x22000000~0x2200001C，共32个字节，8个双字。
0x20000000的位0对应0x22000000，0x22000001，0x22000002，0x22000003，共4个字节，1个双字
例1中：
0x20000300相关于0x20000000的位移是0x20000300 -0x20000000 = 300，相当于300行（ROW）。
乘以32，是由于一行（1个寄存器字节）是32个字节。两者相减，便是它们之间相差的间隔，不必忧虑加1减1的问题。
式1中，bit_number 为什么要乘以4？ 这儿，寄存器字节中的位相当于列。（如屏幕分辨率1440*900，900是行数，1440是列数，行之间的份额是1，而这儿是32）
每列之间相差4个字节：
0x22000004 -0x22000000 = 4
由于条件（2）。
如例1中，0x22006008~0x2200600B来映射0x20000300的字节中的位2，而实践只要0x22006008的位0一共寄存器位2的状况。
再举例2如：
GPIOA是 0x4001 0800
端口输出数据寄存器(GPIOx_ODR) 的偏移地址是 0x0c
依据公式：别号区 = ADDRESS=0x4200 0000 + (0x0001 080C*0x20) + (bitx*4) ;bitx:第x位
得到PA.0和PA.1的别号区地址
#define PA_Bit0 ((volatile unsigned long *) (0x42210180))
#define PA_Bit1 ((volatile unsigned long *) (0x42210184))
（来历http://www.amobbs.com/forum.php?mod=viewthread&tid=3861107）
界说成宏，操作就简略了，不必看16进制的8个数字了。
