驱动半桥自举电路

驱动半桥自举电路


自举元件规划
自举二极管(VD1)和电容(C1)是IR2110在PWM使用时需求严厉挑选和规划的元器材，应依据必定的规矩对其进行调整，使电路作业在最佳状况。

在工程使用中，取自举电容C1>2Qg/(VCC-10-1.5)。式中，Qg为IGBT门极供给的栅电荷。假定自举电容充电途径上有1.5V的压降(包含VD1的正向压降)，则在器材开
通后，自举电容两头电压比器材充沛导通所需求的电压(10V)要高。

一起，在挑选自举%&&&&&%大小时，应归纳考虑悬浮驱动的最宽导通时刻ton(max)和最窄导通时刻ton(min)。导通时刻既不能太大影响窄脉冲的驱动功能，也不能太小而影响宽脉冲的驱动要求。依据功率器材的作业频率、开关速度、门极特性对导通时刻进行挑选，预算后经调试而定。

VD1首要用于阻断直流干线上的高压，其接受的电流是栅极电荷与开关频率之积。为了削减电荷丢失，应挑选反向漏电流小的二极管。