场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管，是较新式的半导体资料，使用电场效应来操控晶体管的电流，因此得名。它只需一种载流子参加导电的半导体器材，是一种用输入电压操控输出电流的半导体器材。从参加导电的载流子来区分，它有电子作为载流子的N沟道器材和空穴作为载流子的P沟道器材。从场效应管的结构来区分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。
1.结型场效应管
（1） 结型场效应管结构
N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两边各制作一个PN结，构成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。
结型场效应管的结构示意图
（2） 结型场效应管作业原理
以N沟道为例阐明其作业原理。
当VGS=0时，在漏、源之间加有必定电压时，在漏源间将构成多子的漂移运动，发生漏极电流。当VGS《0时，PN结反偏，构成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，VGS持续减小，沟道持续变窄，ID持续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS （off）。
（3）结型场效应管特性曲线
结型场效应管的特性曲线有两条，
一是输出特性曲线（ID=f（VDS）| VGS=常量），
二是搬运特性曲线（ID=f（VGS）|VDS =常量）。
N沟道结型场效应管的特性曲线如下图所示。
（a） 漏极输出特性曲线 （b） 搬运特性曲线
N沟道结型场效应管的特性曲线
2. 绝缘栅场效应三极管的作业原理
绝缘栅场效应三极管分为：
耗尽型→N沟道、P沟道
增强型→N沟道、P沟道
（1）N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构
N沟道耗尽型的结构和符号如下图（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了很多的金属正离子。所以当VGS=0时，这些正离子现已感应出反型层，构成了沟道。所以，只需有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS》0时，将使ID进一步添加。VGS《0时，跟着VGS的减小漏极电流逐步减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS （off）表明，有时也用VP表明。
N沟道耗尽型的搬运特性曲线如下图（b）所示。
（a） 结构示意图 （b） 搬运特性曲线
（2）N沟道增强型绝缘栅场效应管结构
N沟道增强型绝缘栅场效应管，结构与耗尽型相似。但当VGS=0 V时，在D、S之间加上电压不会在D、S间构成电流。当栅极加有电压时，若VGS》VGS （th）时，构成沟道，将漏极和源极交流。假如此刻加有漏源电压，就可以构成漏极电流ID。在VGS=0V时ID=0，只需当VGS》VGS （th）后才会呈现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。
VGS（th）——敞开电压或阀电压;
（3）P沟道增强型和耗尽型MOSFET
P沟道MOSFET的作业原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同罢了。这好像双极型三极管有NPN型和PNP型相同。
