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二极管的伏安特性解说

本站为您提供的二极管的伏安特性解释,伏安特性是指加在二极管两端的电压u与流过=极管的电流,之间的关系,即,I=f(U)。2CP12(普通型硅=极管)和2AP9(普通型锗二极管)的伏安特。

伏安特性是指加在二极管两头的电压u与流过=极管的电流,之间的联系,即,I=f(U)。2CP12(一般型硅=极管)和2AP9(一般型锗二极管)的伏安特。

二极管的伏安特性解说

(1)正向特性

二极管伏妄特性曲线的榜首象限称为正向特性,它表明外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的开始部分,由于正向电压很小,外电场还不足以战胜内电场对大都载流子的阻止效果,正向电流简直为零,这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线

死区,对应的电压称为死区电压。硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0. 2V.

当正向电压超越某一数值后, 内电场就被大大削弱,正向电流敏捷增大,二极管导通,这一区域称为正导游通区。二极管一旦正导游通后,只需正向电压稍有改变,就会使正向电流改变较大,二极管的正向特性曲线很陡。因而,二极管正导游通时,管子上的正向压降不大,正向压降的改变很小,一般硅管为o. 7V左右,锗管为0. 3V左右。因而,在运用二极管时,假如外加电压较大,一般要在电路中串接限流电阻,防止发作过大电流烧坏二极管。

(2)反向特性

二极管伏妄特性曲线的第三象限称为反向特性,它表明外加反向电压时二极管的工作情况。在必定的反向电压范围内,反向电流很小且改变不大,这一区域称为反向截止区。这是由于反向电流是少量载流子的漂移运动构成的;必定温度下,少子的数目是根本不变的,所以反向电流根本稳定,与反向电压的巨细无关,故一般称其为反向饱和电流。

(3)反向击穿特性

当反向电压持续增加到某一数值时,二极管中的反向电流会忽然增大,咱们称此刻二极管发作了反向击穿,该段特性如图1.2.6的D段所示。发作反向击穿时PN结有很大的反向电流,严峻时将导致PN结损坏,所以一般二极管应该防止被击穿,但稳压二 极管则必需要 I作于击穿状况,由于在击穿区尽管电流改变较大而电压却能坚持根本不变,正是使用这个特性,稳压管才能够起到稳压的效果。

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