Power MOSFET全称为功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管。其电气符号及底子接法如图所示。
PowerMOSFET有三个极，即源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。操控信号“GS加于栅极和源极之间，改动UGS的巨细，便可改动漏极电流ID的巨细。因为栅—源极之间的阻抗非常大，因此操控电流可以极小，几乎为0，所以驱动功率很小。器材内寄生有反向二极管，它在变频器电路中起续流保护作用。
①最大漏极电流IDM 是答应接连作业的最大漏极电流。
②击穿电压uDs 是指漏极与源极之间的击穿电压，也就是指管子在截止状态下，漏极与源极之间的最大保持电压。
③阈值电压UGS 是可以使MOSFET管子导通的最低栅极电压。该电压为2- 6V。实践运用时，栅极驱动电压应为（1.5-2.5）Ucs，即15v左右。
④导通电阻RON是MOSFET管子导通时，漏极与源极之间的电阻值。RON抉择了管子的通态损耗。导通电阻RCN有正温度系数，即电流越大，RON的值也因附加发热而自行增大。因此它对电流的添加有遏止作用。这在器材并联使用时有主动平衡电流的作用。
⑤开关频率 MOSFET的开关速度和作业频率要比GTR高1-2个数量级。一般MOSFET的开关时间为几微秒至几十微秒，最高频率可达50kHz以上。
责任编辑：gt
