众所周知，当时电子技能的开展方向是：运用技能高频化、硬件结构模块化、半导体器材智能化、操控技能数字化以及产品功用绿色化（对电网等无污染）。
模块化结构进步了产品的密布性、安全性和可靠性，一起也可下降设备的生产本钱，缩短产品进入商场的周期，进步企业在商场中的竞争力。由于电路的连线已在模块内部完结，并选用与PCB相同可刻蚀出各种图形结构的陶瓷覆铜板（DBC板），因此，大大缩短了模块内元器材之间的连线，可完成优化布线和对称性结构的规划，使设备电路的寄生电感和电容值大大下降，有利于完成设备的高频化。此外，模块化结构与同容量分立器材结构比较，还具有体积小、分量轻、结构紧凑、连接线简略，便于保护和设备等长处，因此大大缩小变流设备的体积、下降设备的分量和本钱，进步了设备的功率和可靠性。且模块的主电极端子、操控端子和辅佐端子与模块铜底板之间具有2.5KV以上有效值的绝缘耐压，使之能与设备内各种不同模块一起设备在一个接地的散热器上，有利于设备体积的进一步缩小，简化设备的结构规划。
20世纪80年代初，绝缘栅双极晶体管（IBGT）、功率MOS场效应管（POWER MOSFET）和集成门极换流晶闸管（IGCT）的研制成功，并得到急剧开展和商品化，这不仅对电力电子变流器向高频化开展供给了坚实的器材根底，一起，也为用电设备高频化（20KHZ以上）和高频设备固态化、为高效、节电、节能、节材，为完成机电一体化、小型化、轻量化和智能化供给了重要技能根底。与此一起，给IGBT、功率MOSFET以及IGCT等开关器材配套的，且不行短少的FRD和FRED器材也得到飞快开展。由于跟着设备作业开关频率的进步，若没有FRD和FRED给高频变频设备的开关器材作续流、吸收、箝位、阻隔、输入整流器和输出整流器的配套，那么IGBT、功率MOSFET和IGCT等高频开关器材就不能发挥它们应有功用和共同效果，这是由于FRED的关断特性参数（反向康复时间trr、反向康复电荷Qrr和反向峰值电流IRM）的效果所造成的，最佳和适宜参数的FRED、作为续流二极管与高频开关器材和谐作业，使高频逆变电路内因开关器材换流所引起的过电压尖峰，高频搅扰电压以及EMI搅扰可降至最低，也可下降功耗，使开关器材的功用得到充沛的发挥。
超快康复二极管模块（FRED）类型MEO，MEE，MEA和MEK（图1）是分立型DESEI向大电流的扩展，其特性不变。它可以用在一切MOSFET，IGBT或双极性达林顿管电路中，作业频率要高于1kHz。
假如要用几个分立二极管井联成小模块，换用这些模块可减小设备时间和设备尺度。一般FRED可用作大电流的IGBT或积极性达林顿管的续流二极管，或用作电源和焊接机的快速整流管。下面是一系列超快康复二极管模块（FRED）的运用。
A. 用作拖动和UPS体系中单相或三相逆变器的续流二极管，选用PWM操控，开关频率高于1kHz（图1）。
B. 用作开关电源或伺服驱动的续流二极管
（a）运用MOSFET和肖特基阻断二极管的对称全侨电路（图2a））
（b）运用MOSFET的正激变换器和直流电机驱动的不对称全桥图（图2b））
C. 用作电源或焊接机的整流
全波整流电路（图4（a））中，依据负载电流的巨细，可选择几个MEO模块并联。
共阴极拓朴（图4（b））中，依据负载电流的巨细，可选择几个MEK模块井联。
共阳极拓朴（图4（c））中，依据负载电流的巨细，可选择几个MEA模块并联。
全桥整流电路（图4（d））中，依据负载电流的巨细，可选择几个MEE或MEO模块并联。
高压输出的全桥整流电路（图4（e））中，可运用两个MEE模块串联取得高阻断电压。
一切的超快康复二极管模块（FRED）中接连直流电流IFAVM的数值是在散热器温度TS=65℃，结温TVJM=125℃（温差60℃）的条件下给出的。
如与其他产品比较，要确认两个模块的结芯与散热器温差持平，由于温差决议可流过的正向电流。
并且。超快康复二极管模块（FRED）的电流定额和阻断损耗都是在TVJ=125℃和占空比d=50%条件下的。
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