跟着开关电源的遍及运用，电磁兼容问题也遭到更多重视，本文叙述了开关电源EMC常识全面汇总，包含开关电源EMC的分类及规范，常用的EMC规范及实验装备，关于制定电磁兼容规范的安排和规范的介绍，开关电源电磁搅扰的发生机理及其传达途径， Flyback 架构noise 在频谱上的反响等。
EMC的分类及规范：
EMC(Electromagnetic Compatibility)是电磁兼容，它包含EMI(电磁打扰)和EMS(电磁抗打扰)。EMC界说为:设备或体系在其电磁环境中能正常作业且不对该环境中的任何设备的任何事物构成不能接受的电磁打扰的才能。EMC整的称号为电磁兼容。EMP是指电磁脉冲。
EMC = EMI + EMS EMI : 電磁干擾 EMS : 電磁相容性 (免疫力)
EMI可分为传导Conduction及辐射Radiation两部分，Conduction规范一般可分为: FCC Part 15J Class B;CISPR 22(EN55022, EN61000-3-2, EN61000-3-3) Class B;国标IT类(GB9254，GB17625)和AV类(GB13837，GB17625)。FCC测验频率在450K-30MHz，CISPR 22测验频率在150K–30MHz，Conduction能够用频谱分析仪测验，Radiation则有必要到专门的实验室测验。
EN55022为Radiation Test & Conduction Test (传导 & 辐射测验); EN61000-3-2为Harmonic Test (电源谐波测验) ;EN61000-3-3为Flicker Test (电压改动测验)。
CISPR22(Comite Special des Purturbations Radioelectrique)运用于信息技能类设备, 适用于欧洲和亚洲地区;EN55022为欧洲规范，FCC Part 15 (Federal Communications Commission) 适用于美国，EN30220欧洲EMI测验规范，功率辐射测验规范是EN55013频率在30MHZ-300MHz。
EN55011辐射测验规范是：有的频率段要求较高，有的频率段要求较低。传导 (150KHZ-30MHZ) LISN首要是差模电流, 其共模阻抗为100欧姆(50 + 50); LISN首要是共模电流, 其总的电路阻抗为25欧姆(50 // 50)。
4线 AV 60dB/uV 150KHZ-2MHZ start 9KHZ
5线 PEAK 100dB/uV 150KHZ-3MHZ
6线 PEAK 100dB/uV 2MHZ-30MHZ
7线 QP 70dB/uV 150KHZ-500KHZ
Radiated (30MHZ-1GHZ): ADD 4N7/250V Y CAP 90dB/uV 30MHZ-300MHZ
EMI为电磁搅扰，EMI是EMC其间的一部分，EMI(Electronic Magnetic Interference) 电磁搅扰， EMI包含传导、辐射、电流谐波、电压闪耀等等。电磁搅扰是由搅扰源、藕合通道和接纳器三部分构成的，一般称作搅扰的三要素。 EMI线性正比于电流，电流回路面积以及频率的平方即：EMI = K*I*S*F2。I是电流，S是回路面积，F是频率，K是与电路板资料和其他要素有关的一个常数。
EMI是指产品的对外电磁搅扰。一般状况下分为 Class A & Class B 两个等级。 Class A为工业等级，Class B 为民用等级 。民用的要比工业的严厉，由于工业用的答应辐射略微大一点。相同产品在测验EMI中的辐射测验来讲，在30-230MHz下，B类要求产品的辐射限值不能超越40dBm 而A类要求不能超越50dBm(以三米法电波暗室丈量为例)相对要宽松的多，一般来说CLASS A是指在EMI测验条件下，无需操作人员介入，设备能按预期继续正常作业，不答应呈现低于规则的功用等级的功用下降或功用丢失。
EMI是设备正常作业时测它的辐射和传导。在测验的时分，EMI的辐射和传导在接纳机上有两个上限，别离代表Class A和Class B，假如调查的波形超越B的线可是低于A的线，那么产品便是A类的。EMS是用测验设备对产品搅扰，调查产品在搅扰下能否正常作业，假如正常作业或不呈现超越规范规则的功用下降，为A级。能主动重启且重启后不呈现超越规范规则的功用下降，为B级。不能主动重启需人为重启为C级，挂掉为D级。国标有D级的规则，EN只要A，B，C。EMI在作业頻率的奇数倍是最不好过的。
EMS(Electmmagnetic Suseeptibilkr) 电磁灵敏度一般俗称为 “电磁免疫力”, 是设备抗外界打扰搅扰之才能，EMI是设备对外的打扰。
EMS中的等级是指：Class A，测验完结后设备仍在正常作业;Class B，测验完结或测验中需求重启后能够正常作业;Class C，需求人为调整后能够正常重启并正常作业;Class D，设备已损坏，无论怎样调整也无法发动。严厉程度EMI是B>A，EMS是A>B>C>D。
常用的EMC规范及实验装备
EMS部份为EN55024包含7项测验：
EN61000-4-2:1998;
EN61000-4-3:1998;
EN61000-4-4:1995,
EN61000-4-5:1995;
EN61000-4-6：1996;
EN61000-4-8: 1993;
EN61000-4-11:1994。
EMC检测首要项目:
空间辐射(Radiation): EN55011,13,22 FCC Part 15&18, VCCI
传导搅扰(Conduction): EN55011,13,14-1,15,22, FCC Part 15&18, VCCI
喀呖声(Click): EN55014-1
功率辐射(Power Clamp): EN55013,14-1
磁场辐射(Magnetic Emission): EN55011,15
低频搅扰(Low Frequency Immunity): EN50091-2
静电放电(ESD): IEC61000-4-2、EN61000-4-2、 GB/T17626.2
辐射抗扰度(R/S): IEC61000-4-3、 EN61000-4-3 、GB/T17626.3
脉冲群抗扰度(EFT/B): IEC61000-4-4、EN61000-4-4 、 GB/T17626.4
浪涌抗扰度(SURGE): IEC61000-4-5、 EN61000-4-5、 GB/T17626.5
传导打扰抗扰度(C/S): IEC61000-4-6、 EN61000-4-6 、GB/T17626.6
工频磁场抗扰度(M/S): IEC61000-4-8、 EN61000-4-8、GB/T17626.8
电压下跌(DIPS): IEC61000-4-11、 EN61000-4-11、 GB/T17626.11
谐波电流(Harmonic): IEC61000-3-2、EN61000-3-2
电压闪耀(Flicker): IEC61000-3-3、EN61000-3-3
辐射搅扰(Radiated Interference)是经过空间并以电磁波的特性和规则传达的。但不是任何设备都能辐射电磁波的。传导搅扰(Conducted Interference)是沿着导体传达的搅扰。所以传导搅扰的传达要求在搅扰源和接纳器之间有一完好的电路衔接。
电磁兼容三要素：任何电磁兼容性问题都包含三个要素，即搅扰源、灵敏源和耦合途径，这三个要素中短少一个，电磁兼容问题就不会存在。
发生电磁搅扰的条件: 忽然改动的电压或电流，即dV/dt或dI/dt很大;辐射天线或传导导体。
电磁兼容规范对设备的要求有两个方面：一个是作业时不会对外界发生不良的电磁搅扰影响，另一个是不能对外界的电磁搅扰过度灵敏。前一个方面的要求称为搅扰发射要求，后一个方面的要求称为灵敏度要求。
电磁能量从设备内传出或从外界传入设备的途径只要两个，一个是以电磁波的办法从空间传达，另一个是以电流的办法沿导线传达。因而，电磁搅扰发射能够分为：传导发射和辐射发射;灵敏度也能够分为传导灵敏度和辐射灵敏度。
电磁兼容规范分为根底规范、通用规范、产品类规范和专用产品规范。
根底规范：描绘了EMC现象、规则了EMC测验办法、设备，界说了等级和功用判据。根底规范不触及具体产品。
产品类规范：针对某种产品系列的EMC测验规范。往往引证根底规范，但依据产品的特殊性提出更具体的规则。
通用规范：依照设备运用环境区分的，当产品没有特定的产品类规范能够遵从时，运用通用规范来进行EMC测验。对使设备的功用彻底正常，也要满意这些规范的要求。
关于制定电磁兼容规范的安排和规范的介绍：
IEC(世界电工委员会)：有两个平行的安排制定EMC规范，CISPR和TC77。
CISPR(世界无线电搅扰特别委员会)：1934年建立。现在有七个分会：A分会(无线电搅扰丈量办法与计算办法)、B分会(工、科、医疗射频设备的无线电搅扰)、C分会(电力线、高压设备和电牵引体系的无线电搅扰)、D分会(机动车和内燃机的无线电搅扰)、E分会(无线接纳设备搅扰特性)、F分会(家电、电动东西、照明设备及相似电器的无线电搅扰)、G分会(信息设备的无线电搅扰)。
TC77(第77技能委员会)：1981年建立。现在有3个分会：SC77A(低频现象)、 SC77B(高频现象)、 SC77C(对高空核电磁脉冲的抗扰性)。
CENELEC(欧洲电工规范化委员会)：由欧共体委员会授权制定欧洲规范。EN规范中引证了许多CISPR和IEC规范，其对应联系如下：
EN55××× = CISPR规范， (例： EN55011 = CISPR Pub.11)
EN6×××× = IEC规范， (例： EN61000-4-3 = IEC61000-4-3 Pub.11)
EN50××× = CENELEC自定规范， (例： EN50801 )
FCC(联邦通讯委员会)全名为Federal Communications Commission：是办理电脑, 周边及通讯产品等出售美国之审阅授权机抅, 首要制定民用产品规范，关于电磁兼容的规范首要包含在FCC Part15和FCC Part 18中。
FCC Part 15 subpart B規定: 凡运用数位技術之电子裝置或系統, 及运用或发生脉波频率超越10KHz之器材,皆須依规则进行测验认证后, 才能够在美国商场出售。
MIL-STD(美军标)：典型的是MIL-STD –461D。这个规范不只规则了最大辐射发射和传导发射的约束，还规则了体系对辐射和传导搅扰的灵敏度要求。配套规范MIL-STD-462规则了必要的测验设备。商业公司经常将MIL-STD-461中的某些部分作为产品内部EMC规范。
VCCI(搅扰自愿操控委员会)：民间组织，其规范与CISPR和IEC共同。
GB(我国国家规范)：底子选用CISPR和IEC规范，现在已发布57个。
GJB(我国军用规范)：底子选用美军标，例如GJB151A = MIL-STD –461D。
军用设备
为军用规划的电子体系有必要满意MIL-STD-461D的要求， 另一个关于EMI的军用规范是保密的TEMPEST方案，这是用来确保保密通讯体系安全的。现在能够接纳并复现出大多数电子设备政党作业时所发射的功率很低的射频信号。象对电子偷听很软弱的CRT终端那样的军用产品就归于TEMPEST的领域。在实践中，TEMPEST操控设备和体系的发射，使无法解译带着信息的信号。
由于关于EMC的法规和规范十分复杂，关于信息技能设备的相关规范总结在表1.9中。一些规范的频率规模在图1-3中标明。
CE标明: 源自欧共体各会员国(European Community)缩写的总称, 並以此为标志。规范产品是否契合欧体为保证民众安全健康以及环境保护等利益所拟订之底子安全要求。
CE = EMC + LVD EMC : 電磁搅扰及电磁相容性 LVD : 低电压指令
丈量场所：GB要求在开阔场所中丈量，GJB要求在屏蔽半无反射室中丈量，由于电磁环境日趋恶化，开阔场中的布景搅扰往往严重影响丈量，因而，GB丈量也开端在屏蔽半无反射室中做，但要求半无反射室中的电磁场散布与开阔场近似。
天线到EUT(受试设备)的间隔：GB要求为3米、10米或30米，GJB要求为1米;
丈量内容：GB仅丈量电场辐射发射，GJB对电场辐射和磁场辐射都要丈量;
丈量频率规模：GB规则的丈量规模为30MHz ~ 1GHz，跟着时钟频率的升高，有扩展到18GHz的趋势，GJB规则的丈量频率规模为10kHz ~ 18GHz。
EUT的安置：GB和GJB都要求EUT依照实践作业状况安置(互联电缆和所衔接的外部设备悉数按实践状况衔接)，GB要求EUT放置在木制测验台上，GJB要求EUT放置在金属板上。间隔地上的间隔为0.8米;
检波办法：搅扰丈量仪的读数与检波办法有关，因而规范中都明确规则检波办法，GB要求准峰值检波，GJB要求峰值检波;
最大辐射点：与处理电磁兼容问题的准则相同，仅关怀最坏状况。因而，以EUT的最大辐射值为丈量成果。最大辐射值的意义有4个，榜首：EUT的作业状况处于最大辐射状况，第二：EUT最大辐射面对着天线，第三：天线的极化方向为接纳最大场强的方向，第四：天线的高度为接纳最大场强的方位。GJB中，没有第四点的要求，即，天线的高度是固定的。
丈量设备：
打扰丈量设备：用来定量计量打扰强度的设备，可所以EMI丈量接纳机，也可所以频谱分析仪，频率规模要掩盖150KHz~30MHz，具有峰值、准峰值平和均值检波功用。
线路阻抗安稳网络(LISN)：由于电源端子传导发射的强度与电网的阻抗有关，因而为了使丈量具有唯一性，有必要在特定的阻抗条件下丈量，LISN就供给了这样一个环境，GB9254规范中运用的LISN为50Ω/50μH。
接地平板：受试设备要放置在接地金属板上进行实验，该金属板比被测设备边框大0.5米，最小尺度为2m×2m。
电快速脉冲实验模仿电网中的理性负载断开时发生的搅扰。这种搅扰不只会呈现在电源线上，而且会耦合到信号线上。因而，这个实验要对电源线和信号线做。设备能够经过浪涌实验，并不意味着也能经过电快速脉冲实验。一方面是由于后者的频率成份远高于前者，具有不同的搅扰机理，令一方面是由于电快速脉冲实验中施加的搅扰是重复性，这对电路具有一种积分效应，是电路中的积分型抗搅扰电路实效。
频谱分析仪能够快速地在较宽的频率规模内扫描，因而是确诊电磁搅扰发射的便利东西。运用频谱分析仪时需求留意的问题：频谱分析仪不能观测瞬间搅扰，如静电放电、雷电等;频谱分析仪的扫描时间不能设置得太短，即不能使扫描速度太快;从频谱分析仪屏幕上读取频率与起伏数据时，其精度与频谱仪的扫描规模有关，规模越窄，精度越高;当输入信号过大时，频谱分析仪会发生过载，使读取的起伏数据比实践的小，用输入衰减器能够防止过载;减小频谱仪的中频带宽能够进步仪器的灵敏度(和选择性)，但扫描时间会更长;宽带信号的起伏会跟着中频分辩带宽的添加而添加。
电磁搅扰(EMI)接纳机是另一种丈量电磁搅扰的设备，许多人在选购仪器时搞不懂接纳机与频谱仪之间的差异，下面做一简略比较：
一切的接纳机都规范装备预选器(频谱仪需求选配)，能够有效地按捺带外噪声;一切的接纳机用基频混频办法(频谱仪运用基频调和频混频)，具有较高的灵敏度;接纳机的中频滤波器为矩形(频谱仪的中频滤波器为高斯形)，具有更好的选择性;接纳机适合于正式丈量，不适合于确诊。
EMC实验室有华测(CTI)、SGS、信测、信华、华通威、冠准、莫特、广州ETL、广州五所、东莞经续、东莞沃特、厚街北南、长安世鸿、长安硕信(ATT)、大朗信宝、塘夏欧标、摩尔实验室、经续查验技能有限公司等。像美国的FCC只测EMI中的辐射和传导，意外EMS。有些国家EMI和EMS是分隔测的，有些国家是一同像CCC认证CE认证。现在许多电器类产品做CE还要加测电磁波打扰EMF，规范是EN-50336。电源EMI技能就算能到达规范，有的产品要求要达必定的湿度测验。在深圳湿试操控都比较难做。深圳几家大实验室，都比较难，空间问题。EMI不只包含传导，辐射，电流谐波与电压闪耀也是EMI的部分。谐波和闪耀是设备对外的，而不是外界对设备的，所所以EMI，不是EMS。
开关电源电磁搅扰的发生机理及其传达途径
功率开关器材的高额开关动作是导致开关电源发生电磁搅扰(EMI)的首要原因。开关频率的进步一方面减小了电源的体积和重量，另一方面也导致了更为严重的EMI问题。开关电源作业时，其内部的电压和电流波形都是在十分短的时间内上升和下降的，因而，开关电源自身是一个噪声发生源。开关电源发生的搅扰，按噪声搅扰源品种来分,可分为尖峰搅扰调和波搅扰两种;若按耦合通路来分,可分为传导搅扰和辐射搅扰两种。使电源发生的搅扰不至于对电子体系和电网构成损害的底子办法是削弱噪声发生源，或许堵截电源噪声和电子体系、电网之间的耦合途径。现在按噪声搅扰源来别离阐明：
1、二极管的反向恢复时间引起的搅扰
沟通输入电压经功率二极管整流桥变为正弦脉动电压，经电容滑润后变为直流，但电容电流的波形不是正弦波而是脉冲波。由电流波形可知，电流中含有高次谐波。很多电流谐波重量流入电网，构成对电网的谐波污染。别的，由于电流是脉冲波，使电源输入功率因数下降。
高频整流回路中的整流二极管正导游通时有较大的正向电流流过，在其受反偏电压而转向截止时，由于PN结中有较多的载流子堆集，因而在载流子消失之前的一段时间里，电流会反向活动，致使载流子消失的反向恢复电流急剧削减而发生很大的电流改动(di/dt)。
2、开关管作业时发生的谐波搅扰
功率开关管在导通时流过较大的脉冲电流。例如正激型、推挽型和桥式变换器的输入电流波形在 阻性负载时近似为矩形波,其间含有丰厚的高次谐波重量。当选用零电流、零电压开关时,这种谐 波搅扰将会很小。别的,功率开关管在截止期间,高频变压器绕组漏感引起的电流骤变,也会发生 尖峰搅扰。
3、沟通输入回路发生的搅扰
无工频变压器的开关电源输入端整流管在反向恢复期间会引起高频衰减振动发生搅扰。开关电源发生的尖峰搅扰调和波搅扰能量，经过开关电源的输入输出线传达出去而构成的搅扰称之为传导搅扰;而谐波和寄生振动的能量，经过输入输出线传达时，都会在空间发生电场和磁场。这种经过电磁辐射发生的搅扰称为辐射搅扰。
4、其他原因
元器材的寄生参数，开关电源的原理图规划不行完美，印刷线路板(PCB)走线一般选用手艺布 置，具有很大的随意性，PCB的近场搅扰大，而且印刷板上器材的设备、放置，以及方位的不合理都会构成EMI搅扰。这添加了PCB散布参数的提取和近场搅扰估量的难度。
Flyback 架构noise 在频谱上的反响
0.15 MHz处发生的振动是开关频率的3次谐波引起的搅扰。
0.2 MHz处发生的振动是开关频率的4次谐波和Mosfet 振动2(190.5KHz)基波的迭加，引起的搅扰;所以这部分较强。
0.25 MHz处发生的振动是开关频率的5次谐波引起的搅扰;
0.35 MHz处发生的振动是开关频率的7次谐波引起的搅扰;
0.39 MHz处发生的振动是开关频率的8次谐波和Mosfet 振动2(190.5KHz)基波的迭加引起的搅扰;
1.31MHz处发生的振动是Diode 振动1(1.31MHz)的基波引起的搅扰;
3.3 MHz处发生的振动是Mosfet 振动1(3.3MHz)的基波引起的搅扰;
开关管、整流二极管的振动会发生较强的搅扰
规划开关电源时防止EMI的办法:
1.把噪音电路节点的PCB铜箔面积最大极限地减小;如开关管的漏极、集电极，初次级绕组的节点，等。
2.使输入和输出端远离噪音元件，如变压器线包，变压器磁芯，开关管的散热片，等等。
3. 使噪音元件(如未遮盖的变压器线包，未遮盖的变压器磁芯，和开关管，等等)远离外壳边际，由于在正常操作下外壳边际很可能接近外面的接地线。
4. 假如变压器没有运用电场屏蔽，要坚持屏蔽体和散热片远离变压器。
5. 尽量减小以下电流环的面积：次级(输出)整流器，初级开关功率器材，栅极(基极)驱动线路，辅佐整流器。
6.不要将门极(基极)的驱动返馈环路和初级开关电路或辅佐整流电路混在一同。
7.调整优化阻尼电阻值，使它在开关的死区时间里不发生振铃响声。
8. 防止EMI滤波电感饱满。
9.使拐弯节点和 次级电路的元件远离初级电路的屏蔽体或许开关管的散热片。
10.坚持初级电路的摇摆的节点和元件本体远离屏蔽或许散热片。
11.使高频输入的EMI滤波器接近输入电缆或许衔接器端。
12.坚持高频输出的EMI滤波器接近输出电线端子。
13. 使EMI滤波器对面的PCB板的铜箔和元件本体之间坚持必定间隔。
14.在辅佐线圈的整流器的线路上放一些电阻。
15.在磁棒线圈上并联阻尼电阻。
16.在输出RF滤波器两头并联阻尼电阻。
17.在PCB规划时答应放1nF/ 500 V陶瓷电容器或许还可所以一串电阻，跨接在变压器的初级的静端和辅佐绕组之间。
18.坚持EMI滤波器远离功率变压器;尤其是防止定位在绕包的端部。
19.在PCB面积满足的状况下, 可在PCB上留下放屏蔽绕组用的脚位和放RC阻尼器的方位，RC阻尼器可跨接在屏蔽绕组两头。
20.空间答应的话在开关功率场效应管的漏极和门极之间放一个小径向引线电容器(米勒电容， 10皮法/ 1千伏电容)。
21.空间答应的话放一个小的RC阻尼器在直流输出端。
22. 不要把AC插座与初级开关管的散热片靠在一同。
开关电源EMI的特色
作为作业于开关状况的能量转化设备，开关电源的电压、电流改动率很高，发生的搅扰强度较大;搅扰源首要会集在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相关于数字电路搅扰源的方位较为清楚;开关频率不高(从几十千赫和数兆赫兹)，首要的搅扰办法是传导搅扰和近场搅扰;而印刷线路板 (PCB)走线一般选用手艺布线，具有更大的随意性，这添加了PCB散布参数的提取和近场搅扰估量的难度。
1MHZ以内—-以差模搅扰为主,增大X电容就可处理
1MHZ—5MHZ—差模共模混合,选用输入端并一系列X电容来滤除差摸搅扰并分分出是哪种搅扰超支并处理;
5M—以上以共摸搅扰为主,选用按捺共摸的办法.关于外壳接地的,在地线上用一个磁盘绕2圈会对10MHZ以上搅扰有较大的衰减(diudiu2006);关于25–30MHZ不过能够选用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改动PCB LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕10圈、在输出整流管两头并RC滤波器.
30—50MHZ 遍及是MOS管高速注册关断引起,能够用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路选用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来处理.
100—200MHZ 遍及是输出整流管反向恢复电流引起,能够在整流管上串磁珠
100MHz-200MHz之间大部分出于PFC MOSFET及PFC 二极管,现在MOSFET及PFC二极管串磁珠有效果,水平方向底子能够处理问题,但笔直方向就很无法了
开关电源的辐射一般只会影响到100M 以下的频段.也能够在MOS,二极管上加相应吸收回路,但功率会有所下降。
1MHZ 以内—-以差模搅扰为主
1.增大X 电容量;
2.添加差模电感;
3.小功率电源可选用PI 型滤波器处理(主张接近变压器的电解电容可选用较大些)。
1MHZ—5MHZ—差模共模混合，
选用输入端并联一系列X 电容来滤除差摸搅扰并分分出是哪种搅扰超支并以处理，
1.关于差模搅扰超支可调整X 电容量,添加差模电感器，调差模电感量;
2.关于共模搅扰超支可添加共模电感,选用合理的电感量来按捺;
3.也可改动整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107 一对一般整流二极管1N4007。
5M—以上以共摸搅扰为主，选用按捺共摸的办法。
关于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3 圈会对10MHZ 以上搅扰有较大的衰减效果;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的巨细。
关于20–30MHZ，
1.关于一类产品能够选用调整对地Y2 电容量或改动Y2 电容方位;
2.调整一二次侧间的Y1 电容方位及参数值;
3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。
4.改动PCB LAYOUT;
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;
6.在输出整流管两头并联RC 滤波器且调整合理的参数;
7.在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE;
8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
9. 能够用增大MOS 驱动电阻.
30—50MHZ 遍及是MOS 管高速注册关断引起，
1.能够用增大MOS 驱动电阻;
2.RCD 缓冲电路选用1N4007 慢管;
3.VCC 供电电压用1N4007 慢管来处理;
4.或许输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;
5.在MOSFET 的D-S 脚并联一个小吸收电路;
6.在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE;
7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;
8.PCB 心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS 构成的电路环尽可能的小;
9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50—100MHZ 遍及是输出整流管反向恢复电流引起，
1.能够在整流管上串磁珠;
2.调整输出整流管的吸收电路参数;
3.可改动一二次侧跨接Y%&&&&&%支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接恰当的电阻;
4.也可改动MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE，改动散热器的接地址)。
5.添加屏蔽铜箔按捺向空间辐射.
200MHZ 以上 开关电源已底子辐射量很小，一般可过EMI 规范。
