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MSP430单片机对片内FLASH的读写操作程序典范

//参数:wAddr为地址,范围0x1000~0xFFFFvoidReadFlash(U16wAddr,U8*bBuf,U8bLen){while(bLen–)*bBuf++=*(U8*)wAddr

// 参数: wAddr 为地址 , 规模 0x1000~0xFFFF

voidReadFlash(U16 wAddr,U8 *bBuf,U8 bLen)
{
while(bLen–)
*bBuf++=*(U8 *)wAddr++;
return;
}

voidWriteFlash(U16 wAddr,U8 *bBuf,U8 bLen)
{
U8 reg1,reg2;

reg1=_BIC_SR(GIE);

reg2=IE1;IE1=0;// 维护本来中止标志,并封闭有关中止。

// 写一个字节数据到指定flash地址
while(bLen–)
{
while(FCTL3&BUSY); // 等候曾经FLASH操作完结
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 =FWKEY+WRT; // 发送写flash指令
*(U8 *)wAddr++=*bBuf // 写数据到指定的flash地址

while(FCTL3&BUSY); // 等候写操作完结
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY+LOCK; // 对FLASH内容进行加锁维护
}

if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE); // 康复中止标志
IE1=reg2;

return;
}

voidEraseSectorFlash(U16 wAddr)
{
U8 reg1,reg2;

reg1=_BIC_SR(GIE);

reg2=IE1; // 维护有关中止标志

IE1=0;// 封闭IE1中止

while(FCTL3&BUSY);// 等候FLASH编程完毕

FCTL3 = FWKEY;// 为了预备编程而初始化FLASH操控寄存器3

FCTL1 = FWKEY+ERASE;// 发送FLASH擦除指令

*(U8 *)wAddr=0;// 发动擦除操作

while(FCTL3&BUSY); // 等候擦除操作完结

FCTL1 = FWKEY;// 吊销任何对FLASH的操作指令

FCTL3 = FWKEY+LOCK;// 对FLASH内容进行加锁维护

if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE); // 康复中止标志

IE1=reg2;

return;
}

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