// 参数: wAddr 为地址 , 规模 0x1000~0xFFFF
voidReadFlash(U16 wAddr,U8 *bBuf,U8 bLen)
{
while(bLen–)
*bBuf++=*(U8 *)wAddr++;
return;
}
voidWriteFlash(U16 wAddr,U8 *bBuf,U8 bLen)
{
U8 reg1,reg2;
reg1=_BIC_SR(GIE);
reg2=IE1;IE1=0;// 维护本来中止标志,并封闭有关中止。
// 写一个字节数据到指定flash地址
while(bLen–)
{
while(FCTL3&BUSY); // 等候曾经FLASH操作完结
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 =FWKEY+WRT; // 发送写flash指令
*(U8 *)wAddr++=*bBuf // 写数据到指定的flash地址
while(FCTL3&BUSY); // 等候写操作完结
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY+LOCK; // 对FLASH内容进行加锁维护
}
if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE); // 康复中止标志
IE1=reg2;
return;
}
voidEraseSectorFlash(U16 wAddr)
{
U8 reg1,reg2;
reg1=_BIC_SR(GIE);
reg2=IE1; // 维护有关中止标志
IE1=0;// 封闭IE1中止
while(FCTL3&BUSY);// 等候FLASH编程完毕
FCTL3 = FWKEY;// 为了预备编程而初始化FLASH操控寄存器3
FCTL1 = FWKEY+ERASE;// 发送FLASH擦除指令
*(U8 *)wAddr=0;// 发动擦除操作
while(FCTL3&BUSY); // 等候擦除操作完结
FCTL1 = FWKEY;// 吊销任何对FLASH的操作指令
FCTL3 = FWKEY+LOCK;// 对FLASH内容进行加锁维护
if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE); // 康复中止标志
IE1=reg2;
return;
}