这一篇首要讲讲ROM\RAM\Flash的一些琐细知识点，网上也能找到许多材料。
1 ROM
1.1概述
只读存储器（Read-only memory, ROM），当然从广义上来讲，也有一些器材，例如Flash，EPROM等等，经过某种手法能够编程的，也归于ROM的领域的。ROM一般用在一些程序的存储和数据的存储，这儿程序多半是比较固定的程序（Firmware，固件，一种跟硬件强相关的程序，例如驱动等等），这儿的数据多半是固化的表项，查找表等等不会怎样改动的表项。
1.2根本原理
HDL规划中，关于小ROM，深度和位宽都不大，一般运用组合逻辑就能够做一个ROM。假如数据比较大，比方1K*4B这种，就换一种ROM，运用标准单元Mask ROM，来做存储，如下图所示。百度百科对MASK ROM的界说，是制造商为了要大量生产，事前制造一颗有原始数据的ROM或EPROM当作样本，然后再大量生产与样本相同的 ROM，这一种做为大量生产的ROM样本便是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的材料永久无法做修正。
1.3分类
一种是真的写了就无法改的ROM；一种是能够写一次的ROM（one-TIme Programmable read-only memory），运用的高压反熔丝技能；一种是可擦出的能、能写屡次的ROM（Erasable programmable read only memory），运用紫外线擦除；一种是电擦除的EEPROM（Electrically Erasable programmable read only memory，EEPROM），再到后来东芝搞的Flash。工业界第一种ROM和最终一种的Flash用的比较多。
2 Flash
1.1原理
非丢失性的存储，是在ROM的基础上演进出来的。现在干流是NAND和NOR。模仿的团队来做flash。能够恣意地址拜访。关于接连地址读拜访，NAND和NOR的带宽距离不大。NAND是存储块拜访，NOR能够Byte拜访。总的来说，NOR特色便是比较细的拜访，根本发动程序放NOR中，稳定性和可靠性也略微高一些；NAND拜访数据块比较好，一般数据放NAND中，并且本钱也较低。
图： NOR Flash的时序
ale: address lock enable；一般Flash不会直接集成到芯片中，假如集成在芯片外面，IO数量添加，NOR解决办法便是数据和地址复用，当ale为高的时分，addr上走的是地址，当ale为低且csn为低的时分，addr上走的是数据。
wen：write enable；用于指示读仍是写。
rdy：关于芯片和FLash别离，由于是异步接口，所以运用rdy信号用来握手。关于MCU来讲，假如把小的NOR flash集成到芯片内部，就能够直接运用同步接口，也便是SRAM的接口。
图：NAND Flash时序
CLE：Chip Lock Enable；
能够看到NAND也是数据和地址线复用的。NAND能够大块的数据读写，多了些Command。NAND Flash在MCU中的比较少。Flash跟ROM和RAM不同，不想数字的能够直接用东西生成，这个需求模仿团队自己做。
3 RAM
1.1根本概念
StaTIc Random Access Memory，静态的，随机的拜访。静态的，不必改写，不像DRAM需求随时改写，可是SRAM没有DRAM的集成度高，面积比较大。别的，速度和功耗比DRAM好一些。
图：存储一个bit的SRAM的结构
6个CMOS管子组成一个SRAM单元，Q1和Q3组成反相器，Q2和Q4组成反相器，两个反相器组成一个环路，这样，只需不掉电，这个逻辑环就不会变，跟触发器原理有点相似。Q5用于操控输入，Q6用于操控输出，两个管子相当于输入和输出的开关。
1.2 分类
single port SRAM：不会产生读写抵触，由于之后一个端口，要么读，要么写；尽量做到先写后读，或许初始化再度，不然读出来的数据有或许不对（原因是SRAM的软失效）。关于软失效，能够加一个ECC校验，例如寸10bir，其间2bit是校验位。
Two port SRAM：FOGA的读写抵触答应，可是ASIC不能够，在同一个时间，读地址和写地址不要相同。FIFO一般是TP SRAM。
Dual port SRAM：也是两个端口A、B，能够A读B写，也能够A写B读，不在局限于只能谁读谁写。可靠性，面积和率都不是很好。
工程上，运用两个SRAM，做乒乓操作，完结TP SRAM的功用，一个读的时分，别的一个写。两个SRAM加起来面积或许比TP SRAM小一些。关于几百几K的bit位，直接用D触发器来存储比较好。
1.3 接口
SRAM有一个需求注意下，便是Redundancy接口，用于扩展SRAM的，在比较的大的memory中会用，例如cache，这个接口可选的。用法的话，举个比如这个便是说，当SRAM中有一块坏掉了，这个时分就在尾部在接一块SRAM存储，就把坏块的地址映射到新加的存储块中，这个时分就要用的Redundancy了。
1.4 时序
关于Single port SDRAM的时序，如下图：
读是在一个时钟周期完结，假如是接连写，红点处，write enable是能够一直拉低的；读的话，是要在下一个时间才干采到数据，注意下。
